类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　漏极电流（Id）：48 A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.135 Ω
　　栅极电荷（Qg）：250 nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　技术：沟槽型 MOSFET
　　功率耗散（Ptot）：300 W（在25°C）

IXFN48N90U3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供出色的电导效率和热稳定性。该器件在导通状态下具有极低的 Rds(on)，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（900 V）使其适用于高电压开关应用，例如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器以及电机控制电路。
　　该 MOSFET 具有优异的热性能，能够在高达 175°C 的结温下工作，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，IXFN48N90U3 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，并提高了整体系统效率。
　　由于其高电流承载能力和出色的热管理能力，IXFN48N90U3 可以在高功率密度应用中提供可靠的性能。它广泛用于工业电源、电机驱动、UPS 系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电动汽车充电设备。

IXFN48N90U3 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统。典型应用包括：
　　1. 工业电源系统：如高功率开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器。
　　2. 电机驱动器：适用于高性能变频器和伺服驱动器。
　　3. 不间断电源（UPS）：用于高效逆变器设计，确保在电力中断时提供稳定电源。
　　4. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风能转换系统，用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
　　5. 电动汽车充电设备：用于车载充电器和直流快充系统，提供高效可靠的功率转换。
　　6. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组的充放电控制。

IXFN48N90U3 的替代型号包括 IXFN44N90U3、IXFN50N90U3 和 IXFN48N85U3。这些型号在电气性能和封装方面具有相似特性，可根据具体设计需求进行选择。