型号：P18NQ11T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：100 V
　　最大连续漏极电流(ID)：18 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：72 A
　　最大栅源电压(VGSS)：±20 V
　　导通电阻(RDS(on))：最大11 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻(RDS(on))：最大14 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压(VGS(th))：典型值2.3 V，范围1.8~3.0 V
　　输入电容(Ciss)：典型值1450 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容(Coss)：典型值390 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间(trr)：典型值36 ns
　　最大功耗(Ptot)：50 W
　　工作结温范围(Tj)：-55 ~ +175 °C
　　封装：PowerFLAT 5x6 (5x6 mm)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

P18NQ11T采用了意法半导体专有的“STripFET”技术，这是一种基于平面硅基的先进功率MOSFET工艺，能够实现极低的RDS(on)值同时维持良好的开关性能。这种技术通过优化单元结构和掺杂分布，显著提升了单位面积下的电流密度，使得器件在小尺寸封装中也能承载大电流。该MOSFET具有非常低的导通电阻，典型值仅为11毫欧姆（在VGS=10V时），这极大地减少了导通状态下的I2R损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其是在大电流应用场景下优势明显。
　　另一个关键特性是其出色的热管理能力。PowerFLAT 5x6封装去除了传统引线框架中的热阻瓶颈，通过底部暴露焊盘直接将热量传导至PCB，从而实现高效的散热路径。这一设计允许器件在高功率密度环境中长期稳定运行，而不会因过热导致性能下降或损坏。此外，该封装支持自动化回流焊工艺，适合现代高速SMT生产线，提高了制造效率和一致性。
　　P18NQ11T还具备优异的开关特性，包括低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），这些参数直接影响到开关过程中的能量损耗。较低的Qg意味着驱动电路所需提供的电荷更少，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动器IC；而低Coss则减少了关断期间存储的能量，进一步抑制了开关损耗，特别是在高频操作中效果显著。器件的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复速度（trr ≈ 36ns），有助于减少交叉导通风险，提高桥式拓扑中的可靠性。
　　安全性方面，P18NQ11T内置了强大的静电放电（ESD）保护能力，并且在整个工作温度范围内保持稳定的电气参数。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境下的应用，例如车载电子设备或工业控制系统。综合来看，P18NQ11T是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的现代功率MOSFET，非常适合用于追求小型化与高效能平衡的设计方案。

P18NQ11T常被用于多种高效率电源转换场合，包括但不限于同步整流型DC-DC降压变换器、隔离式电源的次级侧整流、电机控制模块中的H桥驱动电路、LED驱动电源以及电池供电系统的功率开关。由于其低导通电阻和良好热性能，它特别适合用于便携式设备和空间受限的嵌入式系统中，用以提升能源利用率并延长续航时间。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及各类执行器驱动电路，满足严苛的车规级要求。此外，在工业自动化设备、服务器电源和通信基础设施中也有广泛应用。

IPB180N10N3 G
　　SPD18N10C3-12
　　IRF18N10APBF
　　FDP18N10F