制造商：AMD / Spansion
　　产品系列：Am29F
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：1 M × 8 位
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：120 ns
　　封装类型：54-pin TSOP Type I (FI)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：整片擦除 / 扇区擦除
　　编程方式：字节编程
　　接口类型：并行异步
　　输入/输出电压兼容：TTL电平
　　待机电流：≤ 100 μA
　　工作电流（最大）：30 mA
　　写周期时间：典型70μs（扇区擦除或编程）

AM29F080B-120FI 具备多项关键特性，使其成为许多传统嵌入式系统设计中的理想选择。首先，其采用的5V CMOS工艺确保了与广泛存在的微处理器和微控制器系统的良好兼容性，尤其适用于那些尚未迁移到低电压逻辑架构的老式硬件平台。这种5V供电模式不仅简化了电源设计，也增强了抗噪能力和驱动能力，特别适合工业环境下的应用。
　　其次，该芯片支持两种擦除模式：整片擦除（Bulk Erase）和扇区擦除（Sector Erase），共分为64个扇区，每个扇区大小为16 KB。这种细粒度的擦除能力使得固件更新更加高效，可以仅修改需要变更的部分而不影响其他区域，从而延长整体使用寿命并提高系统灵活性。每个扇区可以独立进行擦除和重写，支持至少10万次的擦写寿命，远高于一般EEPROM器件。
　　再者，AM29F080B内置了智能编程算法和状态检测机制。通过数据查询（Data# Polling on DQ7）和DQ6翻转标志，主机系统能够实时监控编程或擦除操作的进度，无需依赖固定延时等待，提升了系统响应效率。同时，芯片内部集成了电荷泵电路，能够在标准5V电源下自动生成所需的高压脉冲用于编程和擦除操作，无需外部提供额外的Vpp编程电压，极大简化了外围电路设计。
　　另外，该器件支持软件数据保护功能。通过特定的解锁序列命令才能启动擦除或编程操作，防止因误操作或异常复位导致的关键数据丢失。这一特性对于BIOS、引导代码等关键程序段尤为重要。最后，其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）保证了在恶劣环境下的可靠运行，结合高达20年的数据保持能力，使其在长期部署的设备中表现出色。

AM29F080B-120FI 广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为个人计算机或工控机的BIOS存储芯片，用于存放启动引导程序和系统配置信息。由于其5V工作电压与早期PC架构完全兼容，且支持快速读取和稳定的写入性能，因此在上世纪末至本世纪初被大量采用。
　　在网络通信设备领域，如路由器、交换机和调制解调器中，该芯片常用于存储固件代码和初始化参数。其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合对启动速度有要求的设备。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，AM29F080B也被用来保存控制逻辑程序和校准数据，因其具备较强的抗干扰能力和宽温工作特性。
　　在消费类电子产品方面，包括激光打印机、多功能一体机、数码复印机等办公设备，该芯片用于存储打印引擎控制程序和字体库。这类设备通常需要频繁读取大量固定代码，而写入操作相对较少，恰好符合Flash存储器的使用特点。
　　此外，一些汽车电子模块（如仪表盘控制单元、车载诊断系统）以及医疗仪器中也曾使用此类器件，尤其是在对成本敏感且不需要极高密度存储的设计中。尽管目前已被更高密度、更低功耗的串行NOR Flash逐渐取代，但在维修、替换和旧设备维护市场中，AM29F080B-120FI仍然具有重要地位。

SST39SF080-120-4C-PHE-T
　　M29F080-120K8Y6
　　EN29F080A-120PCC
　　HY29F080P-12