时间：2025/5/13 18:17:29
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CAT811LTBI-GT3 是一款由 ON Semiconductor 提供的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，设计用于保护高速数据线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压事件的影响。该器件具有低电容特性，适合用于高速信号线路的保护，如 USB、HDMI 和其他高速接口。
它采用了小尺寸封装（如 GTLP 封装），便于在空间受限的应用中使用。其高可靠性和低箝位电压特性使其成为消费电子、通信设备和工业应用的理想选择。
工作电压：5.5V
峰值脉冲电流：±20A
最大箝位电压：16V
结电容：0.5pF
响应时间：<1ns
ESD 防护等级：±30kV（空气放电），±30kV（接触放电）
封装形式：GTLP（3引脚）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
CAT811LTBI-GT3 具备以下关键特性：
1. 极低的结电容（0.5pF），确保对高速数据传输无明显影响。
2. 快速响应时间（小于1纳秒），能够有效抑制快速瞬态电压。
3. 高 ESD 防护能力，支持高达 ±30kV 的空气放电和接触放电防护。
4. 稳定的工作性能，在宽温度范围内保持一致的电气特性。
5. 小型化封装设计，适用于紧凑型电路板布局。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
CAT811LTBI-GT3 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场景，包括但不限于：
1. 消费类电子产品中的 USB、HDMI、DisplayPort 接口保护。
2. 移动设备及配件的高速数据接口防护。
3. 工业控制设备中的通信端口保护。
4. 网络设备和通信系统的信号线路防护。
5. 汽车电子系统中的敏感信号线路保护。
CAT811BHTBG, CAT811LBTBG, PESD5V0S1BA
