PESDMC2XD5VB是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为需要高效率和低损耗的应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和优化的开关性能,能够有效降低能量损耗并提升系统效率。它广泛适用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
型号:PESDMC2XD5VB
类型:N-Channel MOSFET
电压等级:60V
连续漏极电流:134A
导通电阻(典型值):1.7mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:t(on)=27ns, t(off)=15ns
结温范围:-55℃ to +175℃
主要特点是其超低的导通电阻和快速的开关速度,这使其非常适合高频应用环境。此外,该器件具备出色的热稳定性和鲁棒性,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
1. 超低导通电阻(Rds(on))
2. 高电流处理能力
3. 快速开关性能
4. 强大的热稳定性
5. 优异的抗雪崩能力
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 太阳能逆变器
PESDMC2XD5VB凭借其高效的功率转换能力和可靠性,成为众多工程师在设计高效功率系统时的首选方案。
PESDMC2XD5TB, PESDMC2XD6VB