时间：2025/4/3 11:17:45
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PESDMC2XD5VB是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为需要高效率和低损耗的应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和优化的开关性能，能够有效降低能量损耗并提升系统效率。它广泛适用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
型号：PESDMC2XD5VB
类型：N-Channel MOSFET
电压等级：60V
连续漏极电流：134A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：t(on)=27ns, t(off)=15ns
结温范围：-55℃ to +175℃
主要特点是其超低的导通电阻和快速的开关速度，这使其非常适合高频应用环境。此外，该器件具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
1. 超低导通电阻（Rds(on)）
2. 高电流处理能力
3. 快速开关性能
4. 强大的热稳定性
5. 优异的抗雪崩能力
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 太阳能逆变器
PESDMC2XD5VB凭借其高效的功率转换能力和可靠性，成为众多工程师在设计高效功率系统时的首选方案。
PESDMC2XD5TB, PESDMC2XD6VB
