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PBRP123ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 16:08:51 查看 阅读:10

PBRP123ET,215 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双极性晶体管(BJT)阵列器件,适用于通用逻辑和开关应用。该器件集成了多个晶体管,以提高在小型封装中的功能性,特别适合用于需要多个晶体管的电路设计。

参数

类型:双极性晶体管(BJT)阵列
  晶体管类型:NPN/PNP
  配置:多个晶体管组合
  最大集电极电流:100mA(每个晶体管)
  最大集电极-发射极电压:100V
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-26(TSOP)

特性

PBRP123ET,215 具有多个晶体管集成在一个小型封装中的特点,使其在空间受限的设计中非常有用。器件采用高质量的硅材料和先进的制造工艺,确保了稳定性和可靠性。每个晶体管具有独立的引脚,便于电路设计和布线。此外,该器件的功耗较低,适用于便携式设备和节能型应用。其宽工作温度范围也使其适用于工业和汽车环境。
  这款晶体管阵列还具备良好的热稳定性和抗静电能力,确保在恶劣环境下的正常运行。Nexperia 以其卓越的制造工艺和严格的质量控制标准生产该器件,为用户提供长期稳定的性能。

应用

PBRP123ET,215 主要应用于需要多个晶体管的电子设备中,如消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块、通信设备和电源管理电路。其紧凑的封装设计使其非常适合用于逻辑电平转换、信号放大、开关控制以及传感器接口等场景。此外,该器件还可用于LED驱动、继电器控制和小型电机驱动等应用。

替代型号

PBRP123ET-Q,215; PBRP123EH,215; PBRP123ES,215

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PBRP123ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 300mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 6mA,600mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)