类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：5个独立NPN晶体管
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：60 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：75 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：800 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 800（典型值200）
　　特征频率（fT）：250 MHz
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-99金属罐封装或等效表面贴装封装

CA3049内部集成了五个完全独立的NPN型双极结型晶体管，这些晶体管在同一硅片上制造，因此具有高度的一致性和良好的热耦合特性，使得它们在需要匹配参数的应用中表现出色，例如差分对、电流镜和有源负载等电路结构。每个晶体管都具备高达250MHz的特征频率，使其能够在高频模拟电路中稳定工作，适用于宽带放大器和高速开关应用。其VCEO额定值为60V，允许在中等电压环境下运行，而最大集电极电流可达100mA，足以驱动多种负载。该器件的直流电流增益范围宽广，典型值约为200，在不同偏置条件下仍能保持良好性能。
　　CA3049采用TO-99金属密封封装，这种封装不仅提供了优异的机械强度和长期可靠性，还具备出色的散热能力和电磁屏蔽效果，特别适合工作在高温、高湿或强电磁干扰的工业环境中。此外，由于所有晶体管共享同一衬底且紧密排列，它们之间的温差极小，从而保证了温度漂移最小化，这对于精密模拟电路至关重要。该器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，支持军用级和工业级应用需求。
　　另一个显著优势是其电气参数的高度重复性，这得益于先进的集成电路工艺控制，使每批产品之间的一致性非常高，降低了电路调试难度和生产校准成本。同时，CA3049无需外部补偿即可实现稳定工作，简化了外围电路设计。尽管它不是专门设计为“匹配对”器件（如某些专用差分对管），但其晶体管间的参数偏差较小，可通过筛选用于需要一定匹配精度的场合。总体而言，CA3049是一款兼具灵活性与高性能的通用型晶体管阵列，适用于多种复杂模拟和混合信号电路的设计需求。

CA3049广泛应用于各类模拟与混合信号电路中，尤其适用于需要多个高性能NPN晶体管的场景。常见用途包括构建运算放大器的输入级差分对、有源负载、电流镜电路以及推挽输出级；也可作为高频放大器中的增益单元，用于射频前端或宽带信号调理模块。此外，该器件常被用于振荡器电路（如LC或RC振荡器）、电压比较器、逻辑门电路及脉冲整形电路中，发挥其高速开关和良好线性特性的优势。
　　在工业控制领域，CA3049可用于传感器信号调理电路、温度检测系统和电源管理模块中的基准电流源设计。由于其出色的温度稳定性和参数一致性，非常适合用于精密测量仪器、数据采集系统和自动测试设备（ATE）中。在通信设备中，它可以作为前置放大器或驱动级使用，处理低电平模拟信号并提供足够的增益和带宽。
　　另外，由于其金属封装具备良好的抗辐射和抗干扰能力，CA3049也曾在军事和航空航天电子系统中得到应用，尤其是在要求高可靠性和宽温工作的嵌入式控制系统中。教育和科研机构也常用该器件进行模拟电路教学实验和原型开发，因其结构清晰、性能稳定且易于测试。总之，CA3049凭借其多管集成、高性能参数和坚固封装，在模拟集成电路设计、工业自动化、通信技术和科研开发等多个领域均具有重要应用价值。

LM3049
　　MPQ3049
　　UTC3049