时间：2025/5/16 14:28:41
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BUK100-50GL 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用和功率转换电路中。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及逆变器等场景。其封装形式为 TO-220FP，能够提供出色的散热性能。
型号：BUK100-50GL
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源极电压）：50V
RDS(on)（导通电阻）：80mΩ（典型值，@ VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：100A
fBSOD（内置快速恢复二极管反向恢复时间）：60ns
功耗：34W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220FP
BUK100-50GL 的主要特点是其具备非常低的导通电阻 RDS(on)，这使得它在高电流应用中的传导损耗显著降低，从而提高了效率。
此外，该器件还集成了一个快速恢复体二极管（FRD），该二极管在同步整流和续流二极管应用中表现出优异的性能，具有较低的反向恢复电荷 Qrr 和较短的反向恢复时间 trr。
该器件采用沟槽技术制造，使其拥有更小的芯片尺寸，并且保持了较高的击穿电压（50V）。同时，其封装形式 TO-220FP 提供了良好的散热能力，适合于需要高效功率转换的应用场合。
BUK100-50GL 可以用于多种功率电子领域，包括但不限于以下应用场景：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流器
- 电动工具和家用电器中的电机驱动器
- 工业设备中的 DC-DC 转换器
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
- 电池管理系统（BMS）中的保护电路
- 高效 LED 驱动器中的开关元件
由于其低导通电阻和快速恢复二极管特性，该器件非常适合用于高频开关环境下的功率控制和能量转换。
BUK9N2L-50E, IRFZ44N, STP100NF50
