时间：2025/9/4 2:09:58
阅读：36
D44H10 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.018Ω（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
D44H10 MOSFET采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和高耐用性。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的封装设计（TO-252）具备良好的散热性能，使其能够在高功率条件下稳定运行。
这款MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。其高栅极电荷（Qg）优化了开关速度与功耗之间的平衡，避免过高的开关损耗。此外，D44H10具备良好的抗雪崩能力，能够在高压或过载条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
D44H10通常用于多种功率电子设备中，例如电源适配器、电池管理系统、电动工具、电源开关、逆变器以及各种DC-DC转换器。它也常用于需要高效、高电流控制的工业自动化设备和消费电子产品中。
IRFZ44N, STP40NF10, FDP6030L, IRLZ44N
