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D44H10 发布时间 时间:2025/9/4 2:09:58 查看 阅读:25

D44H10 是一款常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):10A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):≤0.018Ω(典型值)
  功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

D44H10 MOSFET采用了先进的平面技术,提供了优异的热稳定性和高耐用性。其低导通电阻显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件的封装设计(TO-252)具备良好的散热性能,使其能够在高功率条件下稳定运行。
  这款MOSFET还具备快速开关特性,适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。其高栅极电荷(Qg)优化了开关速度与功耗之间的平衡,避免过高的开关损耗。此外,D44H10具备良好的抗雪崩能力,能够在高压或过载条件下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性。

应用

D44H10通常用于多种功率电子设备中,例如电源适配器、电池管理系统、电动工具、电源开关、逆变器以及各种DC-DC转换器。它也常用于需要高效、高电流控制的工业自动化设备和消费电子产品中。

替代型号

IRFZ44N, STP40NF10, FDP6030L, IRLZ44N

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D44H10参数

  • 安装类型通孔
  • 封装类型TO-220AB
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最大功率耗散50 W
  • 最大直流集电极电流10 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V
  • 最小直流电流增益20 V
  • 最高工作频率50 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极功率
  • 配置