类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.1A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-13A
　　导通电阻RDS(on)：21mΩ（@ VGS = -4.5V）；27mΩ（@ VGS = -2.5V）；35mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1V（典型值约-0.8V）
　　输入电容（Ciss）：490pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容（Coss）：200pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS = 10V）
　　栅极电荷（Qg）：9nC（@ VGS = -4.5V）
　　功耗（Ptot）：1W（@ Ta=25°C）；4W（@ Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：DFN2020-8
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　配置：单路

ZXMP6A17DN8TA采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具有极低的导通电阻RDS(on)，这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为21mΩ，在更低的驱动电压下仍能保持良好性能，例如在-2.5V时为27mΩ，支持宽范围的逻辑电平驱动，适用于现代低压控制环境。
　　该器件的DFN2020-8封装不仅体积小巧（2.0mm x 2.0mm x 0.75mm），还具备优异的散热能力，通过底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升功率密度和长期可靠性。这种封装形式有助于减少寄生电感和电阻，进一步优化高频开关性能。同时，较小的封装尺寸使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高度集成化产品中的理想选择。
　　ZXMP6A17DN8TA具备良好的栅极氧化层可靠性，能够承受±12V的栅源电压，增强了对意外过压情况的耐受能力。其阈值电压典型值约为-0.8V，确保了稳定的开启与关断行为，避免因噪声干扰导致误触发。此外，较低的栅极电荷（Qg=9nC）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动损耗并提升开关速度，特别适合用于同步整流或快速切换的应用场景。
　　该MOSFET还表现出优秀的电容特性，输入电容（Ciss）为490pF，输出电容（Coss）为200pF，反向传输电容（Crss）仅为40pF，这些参数有助于减小开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性与兼容性。结合其高达-13A的脉冲漏极电流能力，ZXMP6A17DN8TA可在瞬态负载条件下可靠运行，适用于突发性高功率需求的应用。

ZXMP6A17DN8TA广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理系统。由于其小封装、低RDS(on)和良好的热性能，常被用作负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，如LCD背光、摄像头模组或无线通信模块的电源启停，以实现节能和延长电池寿命的目的。
　　在DC-DC转换器中，特别是降压（Buck）拓扑结构中，该器件可用作上管或下管，尤其是在同步整流架构中作为主开关元件之一，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。此外，也可用于LDO后级的通路控制或反向电流阻断电路，防止电源倒灌损坏上游组件。
　　该MOSFET同样适用于电池保护电路，例如在单节锂电池管理系统中作为充放电控制开关，配合保护IC实现过流、短路及过压保护功能。其快速响应能力和稳定阈值特性有助于提升保护机制的可靠性。
　　其他应用场景还包括USB电源开关、移动电源内部功率切换、传感器供电控制以及各种需要P沟道MOSFET进行高压侧开关的场合。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，简化了外围电路设计，降低了整体成本和复杂度。

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　　 "ZXM6A17FCTA",
　　 "DMG2305U",
　　 "AOZ8856CI"
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