C4692是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效、高速开关性能的电子电路中。该器件采用先进的沟槽技术,提供了优异的导通电阻和开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。C4692通常采用TO-252(DPAK)或TO-220等封装形式,具备良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):100A(在VGS=10V时)
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约2.8mΩ(典型值,在VGS=10V时)
功率耗散(PD):120W(TO-220封装)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
C4692 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特征。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要,可以有效减少发热并提高可靠性。
其次,该器件采用了先进的沟槽结构设计,优化了开关速度和开关损耗,使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。此外,C4692具备较高的栅极电荷(Qg),但仍然在可控范围内,能够与常见的MOSFET驱动器兼容。
该MOSFET还具有良好的热稳定性,采用TO-220或TO-252封装形式,具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。其额定工作温度范围较宽(-55°C ~ +175°C),可在恶劣环境条件下稳定运行。
此外,C4692具有较强的短路耐受能力,在某些过载或异常工况下仍能保持一定的稳定性和安全性。这种特性使其在工业控制、电源管理和电动工具等领域中具有较高的应用价值。
C4692 MOSFET主要应用于需要高效、高电流处理能力的电力电子系统。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及负载开关控制等。
在电源管理领域,C4692常用于高效开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件,能够显著提升转换效率并降低发热量。在电动工具和电动车控制系统中,它被广泛用于H桥电机驱动电路,提供高电流输出和快速响应能力。
此外,该器件还适用于工业自动化控制系统中的固态继电器、电源分配单元(PDU)以及太阳能逆变器等应用。由于其良好的热稳定性和过载能力,C4692也常用于高可靠性的车载电子系统,如车载充电器(OBC)和DC-AC逆变器等。
SiHF60N60C、IRF1405、STP100N6F6、FDMS86180