时间：2025/8/12 18:00:32
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IS61QDB41M36-250M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高速、低功耗的4M x 36位高速异步CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存取和低延迟的应用场景。
容量：4M x 36位
组织结构：128Mbit
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：250ps（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：165-FBGA
接口类型：异步
功耗：低功耗CMOS设计
数据输出：三态输出
封装尺寸：11.1mm x 13.4mm
IS61QDB41M36-250M3L SRAM芯片具备高速访问时间和低功耗特性，适用于各种高性能存储应用。其异步接口设计使得其在多种系统架构中都能灵活应用。
该芯片的250ps访问时间确保了极快的数据读取速度，适用于需要快速响应的实时系统。CMOS工艺不仅提供了高稳定性和抗噪能力，还降低了芯片在待机和工作状态下的功耗。
此外，该SRAM支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境条件下稳定运行。其165引脚的FBGA封装形式提供了高密度的电路连接，同时减少了PCB空间占用，适合用于空间受限的设计。
IS61QDB41M36-250M3L 还具备三态输出功能，可有效避免总线冲突，并支持多路复用的数据传输方式。这些特性使其在高速缓存、网络设备、通信模块、图像处理设备以及工业控制系统中具有广泛的应用前景。
IS61QDB41M36-250M3L适用于网络路由器和交换机的缓存存储器，用于高速数据包缓存；在图像处理系统中，用于帧缓存或临时数据存储；在工业控制系统中，用于高速数据采集与处理；在嵌入式系统中，用于主存储器或高速缓冲存储器；在通信设备中，用于协议处理和数据缓冲。
IS61QDB41M36-250MA、IS61QDB41M36-300M3L、IS61QDB41M36-350MA
