类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V VGS时为8.3mΩ，@4.5V VGS时为10.5mΩ
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　

SM8Z30CA 具备多项优异特性，使其在高性能电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件在10V栅极电压下 Rds(on) 仅为8.3mΩ，即使在较低的4.5V栅极电压下也保持在10.5mΩ左右，确保了在宽输入电压范围内的高效运行。
　　其次，SM8Z30CA 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，从而降低了开关损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性，其 PowerFLAT 5x6 封装具有优异的热传导性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持可靠性。其栅极结构设计有助于减少米勒电容效应，从而提高抗 dv/dt 能力，降低误触发的风险。此外，SM8Z30CA 的封装设计便于焊接和自动化组装，适用于工业级自动化生产流程。
　　最后，SM8Z30CA 支持广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和电源适配器等领域。

SM8Z30CA 适用于多种高效率功率转换系统，包括但不限于同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池管理系统、电源分配单元、电机驱动器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在便携式设备电源管理、服务器电源、通信设备和汽车电子系统中具有广泛的应用前景。
　　在同步整流 DC-DC 转换器中，SM8Z30CA 可作为主开关或同步整流器，显著提升转换效率并降低热量产生。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制，确保系统的高可靠性和高效率。此外，该器件也可用于高电流负载开关，实现对负载的快速开启与关闭控制，保护系统免受过流或短路故障的影响。
　　由于其优异的热性能和电气性能，SM8Z30CA 在工业控制、自动化设备和智能电网系统中也常被用于实现高效的功率控制和管理。

SiR862DP-T1-GE3, IPB033N03LG, FDS6680, AO4407A