型号：RM400DZ-M
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ @ Vgs=10V, Id=9A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：13nC @ Vds=15V, Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：730pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：230pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）
　　安装类型：表面贴装

RM400DZ-M具备优异的导通性能和快速开关响应能力，其核心优势之一是极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下仅为6.5mΩ，显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提升了系统效率。这一特性使其特别适合用于电池供电设备中的高效DC-DC降压变换器或同步整流电路。由于采用了先进的沟道工艺和优化的芯片结构，该器件在保持低Rds(on)的同时仍具备良好的热稳定性，避免因局部过热导致的性能下降或失效。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg仅为13nC，在同类产品中处于较低水平，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动损耗并支持更高的开关频率。这对于现代高频率开关电源设计至关重要，能够有效减小外围电感和电容的体积，从而实现电源系统的微型化。同时，其输入电容Ciss为730pF，输出电容Coss为230pF，寄生电容较小，进一步减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题。
　　RM400DZ-M还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提高了器件在瞬态过压或负载突变情况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），可有效减少在非同步整流应用中的反向恢复损耗，防止电压尖峰对主开关管造成损害。此外，SOP-8封装不仅提供了优良的散热路径，还支持自动化贴片生产，便于大规模制造。综合来看，RM400DZ-M在性能、尺寸与可靠性方面达到了良好平衡，适用于多种高要求的功率管理场景。

RM400DZ-M常用于各类中低电压、中高电流的功率开关应用，典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC转换器，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。在这些设备中，它通常作为同步整流器或负载开关使用，以实现高效的电压调节和电源通断控制。此外，该器件也广泛应用于LED驱动电路，特别是在需要恒流控制和高亮度输出的背光或照明系统中，能够提供稳定的电流输出并减少发热。
　　在工业控制领域，RM400DZ-M可用于电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑结构，驱动小型直流电机或步进电机，实现正反转和调速功能。由于其快速的开关特性和低导通电阻，有助于提升电机控制的响应速度和能效。在电源管理模块中，如USB电源开关、热插拔控制器或电池保护电路中，该MOSFET可作为主控开关元件，提供过流保护和软启动功能。
　　此外，RM400DZ-M也适用于各类消费类电子产品中的负载开关，例如智能家居设备、无线路由器、摄像头模组等，用于控制不同功能模块的供电通断，延长待机时间并优化系统功耗。在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统或传感器供电单元，该器件也能发挥其高可靠性和良好温度特性的优势。总体而言，RM400DZ-M凭借其紧凑封装、高效性能和广泛的工作范围，成为众多中小型功率电子系统中的理想选择。

RN400DZ-M
　　RJK03B9DPB-S