型号：K9K4G08U0M-YIBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：32Gb (4GB)
　　组织结构：2-plane, 2k page size, 128 pages per block, 4096 blocks
　　工艺制程：30nm class
　　电压：3.3V Vcc, 1.8V~3.3V I/O
　　接口标准：ONFI 1.0 compatible
　　编程时间：典型500μs per page
　　擦除时间：典型2ms per block
　　读取延迟：典型25μs
　　耐久性：10,000 program/erase cycles per block
　　数据保持时间：10 years at room temperature
　　工作温度：-40°C to +85°C
　　封装类型：TSOP-48 or LGA depending on variant

K9K4G08U0M-YIBO 的核心特性之一是其高效的双平面（2-plane）操作架构，允许在同一时间内对两个独立的存储平面执行读取、编程或擦除操作，显著提升了整体数据吞吐率。这种设计特别适用于需要高并发访问的应用场景，例如在嵌入式操作系统中快速加载程序代码或在多媒体设备中连续读取高清视频流。通过双平面操作，页编程和块擦除的平均等待时间被有效缩短，从而提高了系统的响应速度和用户体验。该芯片还支持缓存编程（Cache Program）功能，允许在前一页编程尚未完成时提前加载下一页的数据，进一步优化了写入效率。该功能尤其适合顺序写入大量数据的场合，如日志记录或文件系统更新。
　　另一个关键特性是其内置的高级命令集和灵活的地址映射机制。K9K4G08U0M-YIBO 支持多种标准ONFI命令，包括读取、编程、擦除、随机数据输入输出、读ID、状态轮询等，便于主控器对其进行精确控制。其地址结构采用列地址+行地址的方式，支持大页寻址，简化了地址管理逻辑。此外，该芯片具备自动坏块管理能力，出厂时已预标记不可用块，并在运行过程中通过状态寄存器反馈编程失败信息，供系统软件进行坏块替换和映射。这一机制大大增强了存储系统的长期可靠性，避免因个别存储单元失效而导致整个设备无法使用。
　　在可靠性方面，K9K4G08U0M-YIBO 集成了多项增强技术。除了支持外部ECC纠错外，其内部电路设计也优化了抗干扰能力和数据保持性能。即使在极端温度条件下或长时间断电后，仍能保证数据的完整性。此外，该芯片具备低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，非常适合电池供电设备。其耐久性达到10,000次P/E周期，远超一般消费类NAND闪存水平，适用于频繁写入的工业应用。总体而言，K9K4G08U0M-YIBO 在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是一款成熟且广泛应用的中高端NAND闪存解决方案。

K9K4G08U0M-YIBO 广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的电子系统中。在移动通信领域，它常用于智能手机和平板电脑中作为操作系统和用户数据的存储介质，配合主控芯片实现高效的文件管理和快速启动功能。由于其支持ONFI标准接口，易于集成到现有的嵌入式平台中，因此在工业自动化控制系统中也被广泛采用，用于保存配置参数、运行日志和固件程序。在消费类电子产品中，如数码相机、MP4播放器和便携式导航设备，该芯片能够稳定存储大量的音视频文件，并支持高速连续读取，确保流畅的媒体播放体验。
　　在固态存储设备方面，K9K4G08U0M-YIBO 可作为小型SSD或eMMC模块的基础存储单元，尤其是在成本敏感但对容量有一定要求的设计中表现出色。它同样适用于各种USB闪存盘和SD卡模组，提供可靠的存储核心。在车载电子系统中，该芯片可用于行车记录仪、车载娱乐主机和远程信息处理终端，满足汽车级工作温度范围和振动环境下的稳定运行需求。此外，在医疗设备、POS终端、智能仪表等嵌入式设备中，K9K4G08U0M-YIBO 凭借其高可靠性、长寿命和良好的数据保持能力，成为理想的存储选择。
　　值得注意的是，尽管该型号属于较早一代的MLC NAND产品，但在许多仍在生产的传统设备或维护项目中依然具有重要地位。对于需要兼容旧有设计方案或追求性价比的客户来说，K9K4G08U0M-YIBO 提供了一个成熟稳定的解决方案。随着NAND闪存技术的发展，虽然新型TLC和3D NAND逐渐普及，但K9K4G08U0M-YIBO 因其经过长期市场验证的稳定性和供货保障，仍在特定细分市场中占据一席之地。

MT29F4G08ABAEA NAND 4GB 3.3V 48-TSOP