时间：2025/12/4 17:41:52
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C2012X7R1H225KT是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件采用标准的公制2012封装尺寸（即0805英寸制），具有较高的体积效率，适用于空间受限的高密度电路板设计。该电容器的介质材料为X7R，属于温度稳定型陶瓷材料，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容性能，其电容值随温度变化的最大偏差为±15%。该型号的标称电容值为2.2μF（即225表示2.2×10^5 pF），额定电压为50V DC（1H代表50V），适合中高压应用环境。K表示电容容差为±10%，T代表编带包装形式，适用于自动化贴片生产流程。C2012X7R1H225KT广泛应用于去耦、旁路、滤波、电源稳压及信号耦合等场景，尤其在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子中表现优异。由于其无极性特性、低等效串联电阻（ESR）以及良好的高频响应能力，该电容器在开关电源和DC-DC转换器中常被用作输入输出滤波元件。此外，该产品符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的需求。
尺寸：2012 (0805)
电容值：2.2μF
电容容差：±10%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R (-55°C ~ +125°C, ΔC/C ≤ ±15%)
介质材料：陶瓷（X7R）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
包装形式：编带（Tape and Reel）
端子电极：镍/锡电镀（Ni/Sn）或兼容无铅焊接的金属化端子
电容代码：225（表示2.2 × 10^5 pF = 2.2μF）
电压代码：1H（对应50V）
制造商：TDK
C2012X7R1H225KT采用X7R陶瓷介质材料，具备优良的温度稳定性，在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，远优于Y5V等通用类介质材料，因此特别适用于对电容稳定性要求较高的中高端电子系统。其2.2μF的较大容量与50V额定电压相结合，使其能够在有限的空间内实现较强的储能和滤波能力，是传统钽电容和铝电解电容的理想替代品之一，尤其在需要避免极性错误和提高可靠性的场合更具优势。该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频工作条件下仍能保持良好的阻抗特性，有效提升电源系统的动态响应能力和噪声抑制效果。由于采用多层结构设计，内部电极交错堆叠，不仅提高了单位体积下的电容密度，还增强了机械强度和抗热冲击性能，降低了因温度循环或PCB弯曲导致的开裂风险。
该器件符合IEC 60384-8/9国际标准，并通过AEC-Q200车规级可靠性认证的部分测试项目，表明其具备一定的汽车电子应用潜力。其端电极为三层金属化结构（铜-镍-锡），支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，满足现代SMT生产线的要求。同时，T包装形式便于自动贴片机供料，提升了生产效率和装配精度。尽管X7R材料不具备COG/NPO级别的超高精度，但其在成本、容量与稳定性之间实现了良好平衡，使C2012X7R1H225KT成为众多中等精度模拟电路和数字电源系统中的主流选择。此外，该电容器几乎不受老化效应影响（X7R材料的老化率约为每十倍时间降低2~3%），长期使用下性能衰减缓慢，保障了系统的长期稳定性。
C2012X7R1H225KT广泛用于各类电子设备中的电源管理单元，特别是在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出端作为去耦和滤波电容，能够有效平抑电压波动并吸收高频噪声，提升电源纯净度。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，该电容因其小尺寸和高性能被大量用于主板上的局部电源网络去耦。在工业控制系统中，它可用于PLC模块、传感器接口电路和隔离电源部分，提供稳定的能量存储和瞬态响应支持。通信设备如路由器、交换机和基站前端电路也常采用此类电容进行信号路径耦合与旁路处理。
由于其工作温度范围宽且可靠性高，该型号同样适用于部分汽车电子应用场景，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、ADAS辅助驾驶系统的电源滤波部分。此外，在医疗电子、测试仪器和嵌入式控制器等领域，C2012X7R1H225KT也被用于模拟前端滤波、ADC参考电压旁路以及时钟电路的耦合环节。得益于其非极性特性和快速充放电能力，该电容器还能在脉冲电路和定时电路中发挥作用。总体而言，该器件凭借其体积小巧、性能稳定、兼容性强的特点，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
C2012X7R1H225MT
GRM21BR71H225KA01D
CL21A225KAQNNNC
EMK212BBJ1H225KD-F
C0805X7R1H225K
