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HM5264165FTT-75 发布时间 时间:2025/9/7 18:36:52 查看 阅读:8

HM5264165FTT-75是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为256Kbit(64K x 4位),属于高速低功耗CMOS SRAM系列,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合高密度电路板设计。

参数

容量:256Kbit(64K x 4位)
  电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  引脚数:54

特性

HM5264165FTT-75 SRAM芯片具备高速访问能力,其访问时间低至7.5ns,适用于对响应时间有严格要求的应用场景。
  该芯片在3.3V电压下工作,具有低功耗特性,适合便携式和低功耗系统的设计。
  采用CMOS工艺制造,增强了抗干扰能力并降低了静态电流消耗。
  TSOP封装设计不仅减小了体积,还提高了封装密度,便于在空间受限的设备中使用。
  支持工业级工作温度范围,可在恶劣环境下稳定运行,适合工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用领域。
  并行接口设计简化了与微处理器或控制器的连接,提高了系统集成的灵活性。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、数据采集系统以及需要快速存储访问的嵌入式系统中。
  例如,在工业自动化控制设备中,可用于缓存关键控制数据,确保系统实时响应;
  在通信模块中,用于临时存储传输数据,提高数据处理效率;
  在网络设备中,用于高速缓存和数据缓冲,增强网络传输性能。
  此外,也适用于需要高可靠性和高性能存储的仪器仪表、医疗设备和测试设备。

替代型号

CY62148EVLL-70ZE3C, IS61LV25616-8T, IDT71V416S

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