时间：2025/6/19 10:41:47
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FM31X104K451EEG 是一款基于铁电随机存取存储器 (FRAM) 技术的非易失性存储芯片。该系列芯片具有高速写入、低功耗和高耐久性的特点，适用于需要频繁数据记录或实时数据存储的应用场景。
FRAM 技术结合了传统 RAM 和闪存的优点，无需额外电源即可保存数据，同时支持无限次读写操作。这款芯片提供了一个容量为 4Kbit 的存储空间，并采用 SOP-8 封装形式，便于集成到各种嵌入式系统中。
存储容量：4Kbit
工作电压：1.8V 至 5.5V
接口类型：I2C（快速模式，最高 400kHz）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
擦写次数：超过 10^12 次
数据保存时间：超过 10 年
FM31X104K451EEG 的主要特性包括：
1. 高速写入能力：由于 FRAM 技术的独特性质，数据可以以极快的速度写入存储器，而不需要像闪存那样进行复杂的擦除和写入过程。
2. 极低功耗：在读写操作期间，FRAM 芯片消耗的能量远低于传统的 EEPROM 或闪存器件。
3. 高可靠性：支持无限次的读写操作，非常适合需要频繁更新数据的工业应用。
4. 简化的电路设计：由于其宽泛的工作电压范围和简单的 I2C 接口协议，使得该芯片易于使用且兼容多种微控制器平台。
5. 非易失性：即使在断电情况下，存储的数据也不会丢失，确保系统的稳定性和数据的安全性。
该芯片广泛应用于需要可靠数据存储的领域，例如：
1. 工业自动化设备中的数据日志记录。
2. 医疗设备中用于保存关键设置和患者信息。
3. 计量仪表（如水表、电表）中的累计数据存储。
4. 家用电器的状态监控与恢复功能。
5. 物联网 (IoT) 设备中的配置参数存储。
6. 各种手持设备的用户偏好设置保存。
FM31L104B451EIG, MB85RC4ML, CAT24C02
