尺寸：2012（公制）/0805（英制）
　　电容值：1.0μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥4000MΩ·μF 或 ≥500MΩ（取较大值）
　　耐焊接热：符合JIS C 5002标准
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端子类型：镍阻挡层+锡外电极，适合回流焊接

C2012X7R1H105K采用X7R型陶瓷介质，这种介质属于铁电体材料，具有较高的介电常数，能够在较小封装内实现较大的电容容量。其最显著的特性之一是在宽温度范围内保持相对稳定的电容值，具体表现为在-55°C到+125°C之间，电容的变化幅度控制在±15%以内，这使得它非常适合用于对温度稳定性有一定要求但又不需要精密补偿的应用场合。相较于COG/NPO等I类介质电容器，X7R虽然不具备零温度系数特性，但在相同体积下能提供更高的电容密度，因此在电源去耦、DC-DC转换器输入输出滤波、中频耦合等应用中更具优势。该器件的额定电压为50V DC，意味着在正常工作条件下可长期承受最高50V的直流偏置电压，同时在实际使用中需注意施加电压对电容值的影响——由于X7R介质存在一定的直流偏压效应，随着外加电压升高，有效电容值会有所下降，设计时应参考厂商提供的偏压特性曲线进行降额处理。
　　C2012X7R1H105K的封装尺寸为2012（约2.0mm × 1.25mm），厚度通常小于1.2mm，适合高密度SMT贴装工艺，兼容自动化生产线。其内部采用多层交错电极结构，不仅提高了单位体积内的电容值，还降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而增强了高频去耦能力。该器件通过AEC-Q200认证的部分系列可用于汽车电子系统，具备良好的抗振动、抗冲击和耐热循环性能。此外，其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），具备优异的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子产品制造的要求。在可靠性方面，该电容器经过严格的寿命测试，可在额定条件下连续工作数万小时而无明显性能衰减，是工业级和商业级电子设备中的常用元件。

C2012X7R1H105K广泛应用于各类需要中等电容值且对温度稳定性有一定要求的电子电路中。最常见的用途是作为电源系统的去耦电容器，安装于集成电路（如MCU、DSP、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，用以滤除高频噪声并稳定供电电压，防止因瞬态电流变化引起的电压波动影响芯片正常运行。在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器设计中，该电容器常被用作输入和输出滤波元件，配合电感构成LC滤波网络，有效抑制纹波电压和电磁干扰（EMI）。此外，在模拟信号链路中，该器件可用于交流耦合、级间耦合或旁路应用，尤其适用于中频段信号处理电路。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用电器控制板中，C2012X7R1H105K因其小尺寸和高可靠性而被广泛采用。在工业控制系统中，如PLC模块、传感器接口电路和电机驱动器中，该电容器用于提高系统的抗干扰能力和稳定性。在通信设备中，包括路由器、交换机和基站模块，它也被用于电源轨的局部储能与噪声抑制。近年来，随着汽车电子化程度的提升，该型号或其车规级版本（如GRM21BR71H105KA88）已逐步应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中。由于其符合无铅焊接工艺和环保标准，也适用于出口型电子产品和医疗电子设备的设计。总之，该器件凭借其良好的综合性能和成熟的供应链体系，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H105KA88
　　CL21A105KAQNNNE
　　C2012JB1H105K
　　EMK212B71H105KG