FMH21N60G 时间：2025/8/9 12:30:48 阅读：18

FMH21N60G是一款由FOSHAN FUMAN ELECTRONICS CO.,LTD制造的N沟道增强型高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能、高可靠性和高效率的电源管理系统设计，适用于各种高电压和高电流的应用场景。FMH21N60G具备600V的漏源击穿电压和21A的连续漏极电流能力，能够满足工业自动化、电源适配器、电动工具、电机控制和家用电器等领域的严格要求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：21A
　　功耗（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.22Ω（最大值0.27Ω）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

特性

FMH21N60G具有多项优良特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其高耐压特性（600V Vds）确保了该器件在高压电路中的稳定运行，适用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等高电压系统。其次，FMH21N60G具备较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.22Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统整体效率。
　　此外，该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和使用寿命。TO-220封装也便于安装和散热片连接，适用于多种应用场景。
　　FMH21N60G的栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，能够适应复杂的控制电路环境。其阈值电压（Vgs(th)）为2V至4V，确保在标准的10V栅极驱动电压下实现完全导通，降低了驱动电路的设计难度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的工作性能。其最大功耗为83W，能够在较高电流负载下保持良好的工作状态。FMH21N60G的结构设计优化了开关特性和抗雪崩能力，提高了器件在高能脉冲条件下的稳定性。

应用

FMH21N60G广泛应用于多种电力电子设备中，特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电动工具、电机控制器、工业自动化设备以及节能灯和LED照明驱动电路。
　　在开关电源中，FMH21N60G可以作为主开关器件，负责将输入的直流或交流电压转换为高频信号，以便通过变压器进行电压调整。由于其较低的导通电阻和高耐压特性，能够有效减少能量损耗，提高电源转换效率。
　　在电机控制和电动工具中，FMH21N60G可用于PWM（脉宽调制）控制电路，实现对电机转速和功率的精确调节。其高电流承载能力和良好的散热性能，使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，FMH21N60G也可用于LED照明驱动电路中，作为恒流控制开关，提供稳定的电流输出，确保LED光源的亮度一致性和使用寿命。