型号：HEF4030BD
　　逻辑功能：四路两输入异或门（XOR）
　　封装类型：SO14
　　电源电压范围：3V 至 15V
　　静态电源电流：最大 100nA（典型值更低）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出驱动能力：可驱动标准LSTTL负载
　　传播延迟时间：约 80ns（典型值，VDD=10V）
　　输入迟滞电压：提高噪声 immunity
　　逻辑电平兼容性：兼容TTL和CMOS电平
　　最大时钟频率：约 3MHz（取决于电源电压）
　　功耗特性：极低静态功耗，适合电池供电设备

HEF4030BD的核心特性之一是其基于硅栅CMOS工艺的设计，这使得它在保持高性能的同时实现了极低的静态功耗。在未切换状态下，其电源电流通常低于100nA，非常适合用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。这种低功耗特性源于CMOS结构的本质优势——仅在开关瞬间产生电流消耗，而在稳态时几乎没有漏电流。此外，该器件支持宽范围的电源电压（3V至15V），使其能够灵活适配多种供电环境，无论是低电压便携设备还是高压工业控制系统都能可靠运行。
　　另一个显著特点是其高噪声容限。由于CMOS输入阈值约为电源电压的一半，且具备良好的输入迟滞特性，HEF4030BD在存在电磁干扰或信号抖动的环境中仍能保持稳定的逻辑判断能力。这一特性对于工业自动化、汽车电子或长距离信号传输系统尤为重要，有助于减少误触发和逻辑错误。
　　该芯片还具备较强的输出驱动能力，每个异或门的输出端采用推挽结构，能够直接驱动多个TTL输入而无需额外的上拉电阻或缓冲器。这不仅简化了外围电路设计，也降低了整体成本和PCB空间占用。同时，其传播延迟时间在10V电源下约为80ns，虽然不如高速TTL系列快，但在大多数中低速逻辑应用中已足够使用，并且速度随电源电压升高而改善。
　　HEF4030BD的四个独立异或门之间电气隔离良好，串扰小，允许用户在同一芯片内实现多个并行逻辑功能，如数据比较、差分信号处理或加法器中的半加逻辑。其引脚布局符合JEDEC标准，易于替换和焊接，适用于自动化生产和手工调试。此外，器件具有过热保护和ESD防护能力，增强了现场使用的可靠性。

HEF4030BD广泛应用于需要执行基本逻辑运算的各种电子系统中。最常见的用途之一是在数字比较器电路中，利用异或门对两个二进制位进行比较——当输入相同时输出为低，不同时为高，因此可用于检测数据是否一致，常用于校验电路或同步系统中的状态监测。在通信领域，该芯片可用于解调调相信号或实现简单的编码/解码功能，例如在PSK（相移键控）系统中提取信息位。
　　在算术逻辑单元（ALU）设计中，异或门是构建半加器和全加器的基础元件，HEF4030BD可以作为多位加法器的一部分，参与执行二进制加法操作。此外，在奇偶校验生成与验证电路中，多个异或门级联可计算数据流的奇偶性，用于提高数据传输的可靠性，常见于UART、I2C等串行通信接口的辅助逻辑中。
　　该芯片还可用于波形整形和信号调制，例如将两个方波信号输入异或门后产生特定频率的脉冲序列，应用于函数发生器或定时控制电路。在微控制器外围扩展中，HEF4030BD可用于实现简单的逻辑组合功能，减轻主处理器负担。此外，在教育实验平台和原型开发板中，因其功能明确、使用简单，常被用作学习数字逻辑的基础器件。

CD4030BE
　　MC14030BCP
　　TC4030AP(T)