型号：TSM10N60CI
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：10A
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：典型值0.75Ω，最大值0.9Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值280pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值47ns
　　最大功耗（Pd）：125W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

TSM10N60CI采用了先进的平面条形沟槽栅极工艺，这种结构不仅提升了器件的载流能力，还显著降低了单位面积的导通电阻，从而有效减少导通状态下的功率损耗。该MOSFET的Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.75Ω典型值，即使在高温环境下也能保持较低的阻值，确保系统长期运行的稳定性与效率。
　　其高击穿电压（600V）设计使其非常适合用于AC-DC转换器中，尤其是在通用输入电压范围（85V~265V AC）下工作的反激式或正激式拓扑结构中，能够可靠地承受关断期间的电压尖峰。同时，该器件具备较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于提高开关频率并减小磁性元件体积，进而实现电源小型化。
　　另外，TSM10N60CI具有出色的开关速度，得益于其低输入和输出电容，在高频工作条件下仍能维持较低的开关损耗。这对于追求高能效的现代电源系统至关重要。同时，该器件拥有较强的雪崩耐量能力，能够在过压或突波干扰情况下保护自身不被损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，结合适当的散热设计可有效控制结温上升。此外，器件内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，进一步提升了动态响应性能。综合来看，TSM10N60CI是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的中高压MOSFET，适用于对效率和稳定性有较高要求的应用场景。

TSM10N60CI广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合作为主开关器件用于离线式反激变换器、正激变换器以及半桥拓扑结构中。在通用输入电压范围（85V～265V AC）的AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源中，该MOSFET凭借其600V耐压能力和优良的导通特性，能够实现高效稳定的能量转换。
　　在工业领域，它可用于PLC电源模块、小型电机驱动器和不间断电源（UPS）中的DC-DC转换级，提供可靠的功率控制功能。此外，在消费类电子产品如电视、机顶盒、音响设备的内置电源中，TSM10N60CI也因其高性价比和成熟的技术方案而被广泛采用。
　　由于其具备一定的雪崩能量承受能力，该器件还能适应电网波动较大或存在瞬态浪涌的恶劣环境，提升了整机的安全性和使用寿命。在LED照明市场中，特别是大功率恒流驱动方案中，TSM10N60CI常作为主控开关管使用，配合PWM调光电路实现精确亮度调节。
　　此外，该器件也可用于太阳能微型逆变器、电池管理系统（BMS）中的辅助电源模块等新兴应用领域。随着对能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）要求的不断提高，TSM10N60CI凭借其低导通损耗和快速开关特性，成为满足严苛能效规范的理想选择之一。其封装形式便于手工焊接与自动化生产，适用于大批量制造需求。

FQP10N60C, STP10NK60ZFP, 10N60C, K2108, IRFBC40