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LESD5Z5.OCT1G 发布时间 时间:2025/8/13 10:28:34 查看 阅读:19

LESD5Z5.OCT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件集成了多个ESD保护二极管,用于保护敏感的电子电路免受静电放电、电压浪涌和瞬态干扰的影响。LESD5Z5.OCT1G 采用小型DFN封装(也称为TDFN封装),适用于高密度PCB设计,并提供高效、可靠的电路保护方案。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  工作电压:5.0V
  钳位电压:9.0V(最大)
  反向工作电压(VRWM):5.0V
  峰值脉冲电流(IPP):10A(8/20μs波形)
  最大反向电容:20pF
  通道数量:6
  封装类型:DFN10(3mm x 3mm)
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

LESD5Z5.OCT1G 是一款高效、多通道的ESD保护器件,适用于需要高可靠性和高集成度的电子系统。其主要特性包括:
  1. **低钳位电压**:LESD5Z5.OCT1G 在ESD事件中提供较低的钳位电压(最大9.0V),可有效减少对后级电路的冲击,保护敏感IC免受损坏。
  2. **高ESD耐受能力**:该器件能够承受IEC 61000-4-2标准中定义的±30kV接触放电和±30kV空气放电,适用于工业和消费类电子设备中的严苛环境。
  3. **多通道保护**:LESD5Z5.OCT1G 内部集成6个独立的ESD保护通道,适用于多个信号线或电源线的同步保护,适用于USB、HDMI、以太网等高速接口应用。
  4. **低电容设计**:每个通道的最大反向电容为20pF,适合用于高速数据线路保护,不会影响信号完整性,适用于USB 2.0、CAN总线、RS-485等通信接口。
  5. **紧凑型DFN封装**:采用DFN10(3mm x 3mm)封装,占用PCB空间小,便于在高密度电路板中布局,同时具备良好的热性能和机械稳定性。
  6. **低漏电流**:在正常工作条件下,器件的漏电流极低(通常小于0.1μA),不会对系统功耗造成显著影响。
  7. **宽工作温度范围**:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于工业级和车载电子系统。
  这些特性使得 LESD5Z5.OCT1G 成为现代电子设备中理想的ESD保护解决方案,尤其适用于便携设备、通信模块、工业控制系统和汽车电子应用。

应用

LESD5Z5.OCT1G 主要用于需要对高速信号线或电源线进行ESD保护的应用场合。典型应用包括:
  1. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的USB接口、音频接口、摄像头模组等信号线路保护。
  2. **通信设备**:用于保护以太网、CAN总线、RS-485等工业通信接口,防止静电放电或瞬态电压对通信模块造成干扰或损坏。
  3. **汽车电子系统**:用于车载娱乐系统、导航模块、车载摄像头、传感器接口等需要高可靠性的应用场景。
  4. **工控设备**:如PLC控制器、工业网关、自动化仪表等设备中的信号和电源线路保护。
  5. **医疗设备**:用于保护高精度传感器和接口电路,确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。
  6. **物联网(IoT)设备**:用于保护无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、LoRa)的天线和数据接口,提升设备的抗干扰能力。

替代型号

LESD5Z5.0CT1G, PESD5Z5.0U1G, ESD5Z5.0SC, SMAJ5.0A

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