MURA230T3G 时间：2025/5/23 12:42:58 阅读：4

MURA230T3G 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件适用于高效率开关应用，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。它广泛用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池保护电路等。MURA230T3G 的封装形式为 TO-220，这种封装有助于提高散热能力，适合在较高功率场景下使用。
　　该器件采用先进的半导体制造工艺，确保了其能够在高压和大电流条件下稳定运行。此外，MURA230T3G 具有较低的栅极电荷，这使得驱动损耗得以降低，非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏电流：180A
　　最大脉冲漏电流：360A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅源电压：±20V
　　功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

MURA230T3G 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 快速的开关速度，使其能够适应高频应用场景，同时降低开关损耗。
　　3. 高电流承载能力，支持高达 180A 的连续漏电流，满足大功率应用需求。
　　4. 良好的热稳定性，能在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，便于集成到各种设计中。
　　6. 低栅极电荷和输入电容，简化驱动电路设计并减少驱动功耗。
　　这些特性使得 MURA230T3G 成为高效功率转换和电机控制的理想选择。

应用

MURA230T3G 广泛应用于多种领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
　　2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
　　4. 工业自动化设备中的负载开关。
　　5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
　　6. 各种需要大电流和高效开关操作的场合。
　　由于其高性能和可靠性，MURA230T3G 在现代电子设备中得到了广泛应用。