时间：2025/8/5 19:11:13
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IXTA48P05T-TRL 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 P 沟道功率 MOSFET，主要用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能。IXTA48P05T-TRL 采用 TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装（SMD）工艺，适用于中等功率级别的电子系统设计。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：-50V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（@TC=25℃）：-48A
导通电阻 Rds(on)：@Vgs=-10V, Id=-30A 时典型值为 5.3mΩ
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252（DPAK）
IXTA48P05T-TRL 具备多项优异的电气和热性能特点，适合高性能电源应用。
首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，典型值仅为 5.3mΩ（在 Vgs=-10V、Id=-30A 条件下），这意味着在导通状态下产生的功率损耗极小，有助于提高整体系统的效率，尤其适用于需要高效能转换的 DC-DC 转换器和电池管理系统。
其次，该器件的最大漏源电压为 -50V，最大连续漏极电流为 -48A，使其能够承受较大的电流和电压应力，适用于高负载条件下的应用。同时，其栅源电压容限为 ±20V，提供了较好的抗过压能力，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
此外，IXTA48P05T-TRL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了器件的开关性能和热稳定性，降低了开关损耗，使得在高频开关应用中表现出色。该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，支持表面贴装工艺，适合自动化生产，提高了 PCB 的布局灵活性和整体系统的紧凑性。
最后，该 MOSFET 在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内工作，具备出色的热稳定性和耐久性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。
IXTA48P05T-TRL 主要应用于需要高效率、大电流处理能力的电源系统中。
其最常见的用途之一是作为负载开关或电源开关，用于控制电池供电系统中的电源分配，如笔记本电脑、服务器电源、电动工具和工业控制系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
此外，该器件也广泛用于 DC-DC 转换器和同步整流电路中，尤其是在同步降压转换器中作为高边或低边开关，适用于通信电源、服务器电源模块以及新能源系统（如太阳能逆变器）等。
由于其良好的热性能和可靠性，IXTA48P05T-TRL 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆中的功率控制单元。
另外，在电机驱动、UPS（不间断电源）系统、电源管理模块以及需要高可靠性设计的工业控制设备中，该 MOSFET 都能提供稳定可靠的性能支持。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS4810, IXTA40P05T-TRL
