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GA1206Y563MXABR31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:01:33 查看 阅读:4

GA1206Y563MXABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该芯片适用于各种电源管理应用,包括但不限于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。
  该器件支持高频工作环境,并且能够在较宽的工作电压范围内保持稳定性能。其封装形式经过优化,可以有效降低寄生电感并提高整体效率。

参数

类型:功率MOSFET
  极性:N-Channel
  Vds(漏源击穿电压):120V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):78A
  Qg(栅极电荷):55nC
  Eoss(输出电容能量损耗):93μJ
  FOM(品质因数,Rds(on)*Qg):0.25mΩ-nC
  封装:TO-247-3L

特性

1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用场景。
  3. 出色的热稳定性设计,确保在高电流运行条件下具备良好的散热能力。
  4. 支持宽范围的工作温度(-55°C至+175°C),适合极端环境下的使用。
  5. 具备增强型短路保护功能,进一步提升了产品的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  7. 内部集成ESD保护电路,增强了抗静电能力。

应用

1. 工业级DC-DC转换器及开关电源模块。
  2. 大功率电机驱动控制器。
  3. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统。
  4. 服务器和通信设备中的负载开关。
  5. 可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电控制器。
  6. 快速充电适配器和其他消费类电子产品中的高效电源解决方案。
  7. LED驱动电路以及其他需要大电流处理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AOT280
  STP10NK120Z

GA1206Y563MXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-