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LTE-C1911-ZA-LD 发布时间 时间:2025/9/6 4:14:51 查看 阅读:6

LTE-C1911-ZA-LD 是一款由 Lattice Semiconductor(莱迪思半导体)生产的高性能、低功耗的可编程逻辑器件(FPGA)。该芯片属于 LatticeECP3? 系列,专为满足通信、工业控制、消费电子和汽车应用中的高密度逻辑设计需求而设计。LatticeECP3 系列以其高效的功耗管理、先进的 DSP 功能以及高速接口能力而闻名。LTE-C1911-ZA-LD 采用 130nm 工艺制造,提供高逻辑密度和丰富的 I/O 资源,适用于需要复杂逻辑功能和高集成度的设计场景。

参数

型号:LTE-C1911-ZA-LD
  制造商:Lattice Semiconductor
  系列:LatticeECP3
  工艺技术:130nm
  逻辑单元(LEs):约191,000
  最大用户 I/O 数量:352
  嵌入式存储器:高达 10.8 Mbits
  DSP 模块:多达 160 个
  时钟管理:4 个 PLL
  封装类型:FBGA
  封装尺寸:256 引脚或 484 引脚(根据具体子型号)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +100°C)或扩展级(-40°C 至 +125°C)
  电源电压:1.0V 核心电压,1.5V 至 3.3V I/O 电压

特性

LTE-C1911-ZA-LD 以其先进的特性和设计灵活性而著称。首先,该芯片具备高逻辑密度,支持复杂的数字逻辑设计,并提供高达 191,000 个逻辑单元,满足中高端 FPGA 应用需求。其次,它内置多达 160 个高性能 DSP 模块,适用于数字信号处理任务,如滤波、乘法累加(MAC)运算等,广泛应用于图像处理和通信系统。
  该器件还集成了高达 10.8 Mbits 的嵌入式存储器资源,可用于实现大容量缓存或数据存储结构,如 FIFO、RAM 或 ROM。此外,其丰富的 I/O 接口支持多种标准,包括 LVCMOS、LVDS、PCIe Gen1/Gen2、DDR/DDR2 SDRAM 等,使得它能够轻松连接外部高速存储器、传感器或通信模块。
  LatticeECP3 系列 FPGA 还具备先进的功耗优化技术,采用动态功耗管理架构,能够在不同工作模式下智能调节功耗,适用于对能效有严格要求的便携式设备和电池供电系统。同时,其内部 PLL(锁相环)模块可提供精确的时钟合成与管理,支持多个独立的时钟域设计,确保系统的时序完整性。
  该芯片支持多种开发工具链,包括 Lattice Diamond 和 Lattice Radiant,支持 VHDL、Verilog HDL 和 Synplify 等主流 HDL 综合工具,开发者可利用这些工具进行高效的设计、仿真和调试。

应用

LTE-C1911-ZA-LD 主要应用于需要高性能逻辑处理、高速接口和低功耗运行的系统中。在通信领域,该芯片可用于实现高速数据传输协议、协议桥接、网络交换和无线基站接口设计。在工业控制方面,它适用于智能传感器、机器视觉系统和工业自动化控制板卡的设计。
  在消费电子市场,LTE-C1911-ZA-LD 可用于高清视频处理、图像增强和多媒体接口转换。例如,在高清摄像头或视频采集设备中,该芯片可实现图像采集、处理和输出控制一体化设计。
  此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如 ADAS(高级驾驶辅助系统)中的传感器融合模块、车载通信模块以及智能仪表盘设计。其工业级温度范围和可靠性设计使其能够适应严苛的工作环境。

替代型号

LFE3-1911E-6FN484C
  LFE3-1911E-6FN484I
  LFE3-1911E-7FN484C

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