SB820DC 时间：2025/8/15 4:01:50 阅读：28

SB820DC 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装

特性

SB820DC 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了 PowerFLAT 5x6 封装，具有优异的热性能和较小的占板面积，适合高密度 PCB 设计。此外，SB820DC 提供了较高的电流承载能力和良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽（通常为 4.5V 至 20V），支持多种驱动电路设计，适用于同步整流、高侧和低侧开关等应用。该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。
　　SB820DC 的封装设计有助于降低寄生电感，提高开关性能，减少开关过程中的能量损耗。此外，其低热阻（Rth）特性有助于将热量快速散发，延长器件使用寿命并提高系统稳定性。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于工业、汽车和消费类电子产品的电源管理系统。

应用

SB820DC 广泛应用于多种电源管理与功率控制领域，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、热插拔电源控制以及汽车电子系统中的功率开关。其高效、高电流处理能力和紧凑封装也使其适用于服务器电源、通信设备、工业自动化设备和高性能嵌入式系统等对效率和可靠性要求较高的应用场景。