时间：2025/5/10 10:02:49
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FQPF4N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等场景中。其高耐压特性（500V）使其非常适合高压应用场合，同时具备低导通电阻和良好的开关性能。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
脉冲漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：2.8Ω
栅极电荷：17nC
输入电容：650pF
总耗散功率（Tc=25℃）：115W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压，能够承受高达500V的漏源电压。
2. 低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 热稳定性强，能够在宽温范围内可靠运行。
5. 具备较高的电流承载能力，适用于多种功率应用场景。
6. TO-220封装提供良好的散热性能，便于系统集成。
1. 开关电源设计中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 逆变器及太阳能发电系统中的功率调节模块。
5. 各类工业控制设备中的高压功率切换组件。
IRF540N
STP55NF06
FQP17N50
