类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：1.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.5Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-92

CS1N60-A6H具备多项优良的电气特性和物理特性。首先，其漏源耐压高达600V，能够满足多数高压开关电路的需求，适用于诸如开关电源、AC-DC适配器和LED驱动等应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值在2.5Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持±20V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。
　　该器件采用了TO-92小型封装，便于散热管理，适用于空间受限的设计场景。同时，其热稳定性好，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。CS1N60-A6H的开关速度快，能够实现高频开关操作，适用于PWM控制和DC-DC变换器等场合。此外，其具备良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
　　从工艺上看，CS1N60-A6H采用了华润微电子自主开发的高压MOSFET制造工艺，确保了器件在高电压、大电流条件下的稳定性和一致性。同时，该器件具备较低的漏电流（Idss）和较高的击穿电压稳定性，适用于多种恶劣工作环境。

CS1N60-A6H广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它可用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器和电池充电器等。在工业控制领域，该器件可用于继电器驱动、马达控制和自动化设备中的负载开关电路。此外，在消费类电子产品中，如智能家电、智能插座和无线充电设备中，CS1N60-A6H也常用于实现高效的功率控制。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，因此非常适合用于升压（Boost）和降压（Buck）拓扑结构。此外，在电机驱动电路中，该器件可作为H桥中的开关元件，实现电机的正反转控制。
　　在智能电网和新能源应用中，CS1N60-A6H可用于光伏逆变器、储能系统和智能电表等设备中的功率开关模块。其良好的热稳定性和较高的可靠性使其能够在较为恶劣的环境条件下长期稳定工作。

FQP1N60C、2N60、K2543、CS1N60A