工作电压：3.3V 至 15V
　　击穿电压（Min）：4.5V
　　击穿电压（Max）：5.5V
　　钳位电压（Max）：9.2V
　　最大峰值电流（IPP）：15A
　　响应时间：小于 1ns
　　封装形式：SOT23-5
　　温度范围：-40°C 至 +125°C

TISP3150F3DR 具备出色的瞬态抑制能力，能够在极短时间内响应并吸收高能量的瞬态电压脉冲，从而有效保护后端电路不受损坏。
　　其双向保护结构使其适用于交流信号线路和直流电源线路的保护，具备良好的对称性，确保在正负极性瞬态电压下均能提供一致的保护性能。
　　该器件采用低电容设计，适用于高速数据传输线路，不会对信号完整性造成明显影响，特别适合用于 USB、HDMI、以太网等接口的保护。
　　此外，TISP3150F3DR 具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和消费类应用。
　　其 SOT23-5 封装体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中灵活布局，同时具备良好的焊接可靠性和可制造性。

TISP3150F3DR 主要用于各类电子设备中的电路保护，特别是在需要防止静电放电和浪涌电压的场合。
　　常见应用包括个人计算机、笔记本电脑、平板电脑和智能手机的接口保护；工业自动化设备、通信设备和测试仪器的输入输出端口保护；以及以太网交换机、路由器和网络接口卡的信号线路保护。
　　由于其低电容特性，TISP3150F3DR 也广泛用于高速数据通信线路，如 USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN 总线等接口的瞬态保护，确保数据传输的稳定性和可靠性。
　　此外，该器件也可用于电源管理模块、电池管理系统和传感器接口的保护，防止因外部干扰或电源波动导致的电路损坏。

PESD3V3S5BL, SMAJ5.0A, ESDA6V1W5B