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DTA043ZMT2L 发布时间 时间:2025/12/25 12:47:08 查看 阅读:10

DTA043ZMT2L是一款由ROHM Semiconductor生产的NPN型晶体管,属于数字晶体管(Digital Transistor)系列。该器件集成了一个内置偏置电阻的晶体管,简化了电路设计并减少了外部元件数量。DTA043ZMT2L中的“Z”表示其具有特定的电阻比配置,通常用于开关应用。该器件采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局和自动化生产流程。由于其集成电阻的设计,DTA043ZMT2L在逻辑电平转换、驱动LED、继电器控制以及信号放大等低功率应用中表现出色。该器件广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、通信模块和工业控制系统中。
  这款数字晶体管的主要优势在于其内置的基极串联电阻和发射极-基极间的下拉电阻,这使得它可以直接由微控制器或其他逻辑输出驱动,而无需额外添加限流或偏置电阻。这种设计不仅节省了PCB空间,还提高了系统的可靠性,并降低了整体成本。DTA043ZMT2L的工作温度范围较宽,适用于大多数商业和工业环境下的应用场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

参数

类型:NPN数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(Pc):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  基极-发射极电压(VBE):6V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  直流电流增益(hFE):82至120(典型值)
  上升时间(tr):28ns
  下降时间(tf):22ns
  输入电阻(R1):47kΩ
  输出电阻(R2):47kΩ

特性

DTA043ZMT2L的核心特性之一是其内置的双电阻网络结构,其中包含一个连接在基极端的47kΩ输入电阻(R1)和一个从基极到发射极之间的47kΩ下拉电阻(R2)。这种设计显著简化了外围电路的设计复杂度,特别是在需要将逻辑信号直接驱动负载的应用中。当输入为高电平时,电流通过R1流入基极,使晶体管导通;而当输入信号断开或为低电平时,R2确保基极被可靠地拉低至地电位,防止因噪声干扰导致的误触发。这一机制提升了电路的抗干扰能力和稳定性。
  该器件的开关性能优异,具备快速的上升时间和下降时间(分别为28ns和22ns),使其能够适应高频开关操作,适用于脉冲宽度调制(PWM)控制、数字信号缓冲和高速逻辑接口等场景。同时,其最大集电极电流为100mA,足以驱动小型继电器、LED指示灯或作为后续功率级的前置驱动级使用。尽管其电流承载能力有限,但在低功耗应用中表现良好。
  DTA043ZMT2L采用SOT-23封装,体积小巧,热阻适中,能够在不超过200mW的功耗下稳定运行。该封装形式支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺,便于大规模自动化生产。此外,器件的电气参数经过严格筛选,具有良好的一致性,有利于批量生产的质量控制。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其能在恶劣环境下保持可靠运行,适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的领域。
  另一个重要特点是其符合AEC-Q101车规认证的可能性(具体需查阅最新规格书确认),这意味着它可能被用于部分车载电子系统中,如车身控制模块、传感器接口或车内照明驱动等。总体而言,DTA043ZMT2L是一款高度集成、易于使用的数字晶体管,特别适合追求小型化、高可靠性和低成本解决方案的设计工程师选用。

应用

DTA043ZMT2L常用于各类需要逻辑电平转换与信号放大的电路中,典型应用场景包括微控制器输出扩展、LED驱动电路、继电器或蜂鸣器驱动、电源管理开关控制以及数字隔离缓冲等。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表中,该器件可用于背光控制或按钮状态检测电路。在工业控制系统中,它可以作为PLC输入/输出模块中的信号调理单元。此外,在通信设备中,DTA043ZMT2L也可用于RS-232电平转换或光电耦合器的驱动级。由于其封装小巧且无需外接偏置电阻,因此非常适合空间受限的便携式设备设计。

替代型号

KSH94, MMBT3904, DTC043ZMT2L

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DTA043ZMT2L参数

  • 现有数量3,330现货
  • 价格1 : ¥2.46000剪切带(CT)8,000 : ¥0.38764卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁250 MHz
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商器件封装VMT3