时间：2025/7/11 23:58:40
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IPB80N08S2L-07是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于P沟道增强型MOSFET，采用TO-263封装形式。这款MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：-12A
栅极电荷：14nC
导通电阻：5.5mΩ
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263
IPB80N08S2L-07具备较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它具有快速开关速度，适合高频应用场合。此外，该器件的工作温度范围较广，能够适应各种环境条件下的使用需求。
由于采用了先进的制造工艺，IPB80N08S2L-07在可靠性方面表现出色，能够在长时间运行中保持稳定的性能。其封装形式便于安装，并且散热性能良好。
该MOSFET广泛应用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等领域。具体应用包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关
3. 电机驱动中的负载切换
4. 各类负载开关及保护电路
5. 电池管理系统中的充放电控制
IPW80N08S2L-07
