您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/1 19:55:59 查看 阅读:7

SI4925BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和出色的开关性能,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。其封装形式为 ThinSOT23-6L(SC-89A),体积小巧,适合高密度设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:2.7nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:ThinSOT23-6L(SC-89A)

特性

SI4925BDY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 5.5mΩ,能够有效降低传导损耗并提高系统效率。此外,该器件的栅极电荷较低,仅为 2.7nC,有助于减少开关损耗。
  Vishay 的 TrenchFET 第三代技术确保了该 MOSFET 在高频工作条件下的卓越表现。同时,其小型化的 ThinSOT23-6L 封装使得它非常适合空间受限的应用场景。
  由于其耐热增强型封装设计,该器件能够在高达 +175℃ 的结温下稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

SI4925BDY-T1-E3 广泛应用于各种需要高效能功率转换和控制的领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件
  3. 笔记本电脑及平板设备中的负载开关
  4. 电池管理系统的功率路径控制
  5. 小型电机驱动电路
  6. 消费类电子产品的电源管理模块

替代型号

SI4416DY, SI4406DY, BSS138

SI4925BDY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4925BDY-T1-E3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI4925BDY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4925BDY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 7.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4925BDY-T1-E3TR