时间：2025/7/1 19:55:59
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SI4925BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和出色的开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。其封装形式为 ThinSOT23-6L（SC-89A），体积小巧，适合高密度设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：2.7nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：ThinSOT23-6L（SC-89A）
SI4925BDY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 5.5mΩ，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，仅为 2.7nC，有助于减少开关损耗。
Vishay 的 TrenchFET 第三代技术确保了该 MOSFET 在高频工作条件下的卓越表现。同时，其小型化的 ThinSOT23-6L 封装使得它非常适合空间受限的应用场景。
由于其耐热增强型封装设计，该器件能够在高达 +175℃ 的结温下稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
SI4925BDY-T1-E3 广泛应用于各种需要高效能功率转换和控制的领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器的核心开关元件
3. 笔记本电脑及平板设备中的负载开关
4. 电池管理系统的功率路径控制
5. 小型电机驱动电路
6. 消费类电子产品的电源管理模块
SI4416DY, SI4406DY, BSS138
