SI4925BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和出色的开关性能,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。其封装形式为 ThinSOT23-6L(SC-89A),体积小巧,适合高密度设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:5.5mΩ
栅极电荷:2.7nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:ThinSOT23-6L(SC-89A)
SI4925BDY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 5.5mΩ,能够有效降低传导损耗并提高系统效率。此外,该器件的栅极电荷较低,仅为 2.7nC,有助于减少开关损耗。
Vishay 的 TrenchFET 第三代技术确保了该 MOSFET 在高频工作条件下的卓越表现。同时,其小型化的 ThinSOT23-6L 封装使得它非常适合空间受限的应用场景。
由于其耐热增强型封装设计,该器件能够在高达 +175℃ 的结温下稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。
SI4925BDY-T1-E3 广泛应用于各种需要高效能功率转换和控制的领域,例如:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC-DC 转换器的核心开关元件
3. 笔记本电脑及平板设备中的负载开关
4. 电池管理系统的功率路径控制
5. 小型电机驱动电路
6. 消费类电子产品的电源管理模块
SI4416DY, SI4406DY, BSS138