您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > C2012X5R1V225K085AB

C2012X5R1V225K085AB 发布时间 时间:2025/7/10 11:55:06 查看 阅读:18

C2012X5R1V225K085AB是一种多层陶瓷电容器(MLCC),属于X5R温度特性等级的片式电容器。该型号采用1210封装(EIA标准),具有高可靠性和稳定性,适用于多种电子电路中的旁路、耦合和滤波应用。
  这种电容器使用了X5R类介电材料,其在-55°C到+85°C的工作温度范围内,容量变化控制在±15%以内,表现出优良的温度稳定性。同时,它符合RoHS标准,适合无铅焊接工艺。

参数

型号:C2012X5R1V225K085AB
  封装:2012英寸(约5.08x3.05mm)
  额定电压:16V
  标称容量:2.2μF
  容差:±10%
  温度特性:X5R (-55°C to +85°C, 容量变化 ±15%)
  工作温度范围:-55°C 至 +85°C
  直流偏压特性:良好
  ESL/ESR:较低
  绝缘电阻:高

特性

C2012X5R1V225K085AB采用了先进的陶瓷介质技术制造,具备较高的体积效率和稳定性。X5R温度特性确保了其在宽温范围内保持性能稳定,非常适合用于电源管理模块、信号处理电路和其他需要稳定电容值的应用场景。
  此外,该电容器还具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而能够有效减少高频噪声并提高电路性能。它的设计也充分考虑了现代无铅焊接工艺的需求,能够承受多次高温回流焊过程而不影响电气性能。

应用

该型号电容器广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机及其外设等领域。具体应用场景包括:
  1. 电源滤波和去耦:为各种集成电路提供稳定的电源输入,减少纹波和干扰。
  2. 信号耦合与解耦:在模拟和数字信号传输中起到隔直通交的作用。
  3. 高频噪声抑制:用于射频电路和高速数据线路以降低电磁干扰。
  4. 存储功能:在特定情况下作为小型储能元件使用。

替代型号

C2012X5R1C225M400AB, GRM21BR61E225KA01D

C2012X5R1V225K085AB推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

C2012X5R1V225K085AB参数

  • 现有数量31,627现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)4,000 : ¥0.90331卷带(TR)
  • 系列C
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容2.2 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定35V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性低 ESL 型
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.039"(1.00mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-