时间：2025/5/10 9:05:21
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MJW21195G是一种NPN型功率晶体管，广泛应用于高功率放大器、开关电路以及线性稳压器等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备高增益、低饱和电压和良好的热稳定性等特性。MJW21195G能够在较高的电流和电压条件下稳定工作，适用于需要大功率处理能力的场景。
集电极-发射极击穿电压：80V
集电极最大连续电流：30A
功率耗散：180W
直流电流增益(hFE)：20~100
过渡频率(fT)：4MHz
存储温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：TO-247
MJW21195G具有以下主要特性：
1. 高电流承载能力，可支持高达30A的连续电流。
2. 击穿电压为80V，适合中高压应用场景。
3. 功率耗散高达180W，能够适应高功率需求。
4. 直流电流增益范围广（20~100），提供灵活的设计选择。
5. 采用TO-247封装，具备优秀的散热性能。
6. 工作温度范围宽，可在极端环境下稳定运行。
7. 良好的热稳定性和电气性能，确保长时间可靠运行。
MJW21195G适用于多种高功率电子设备，包括但不限于：
1. 音频功率放大器。
2. 开关电源中的功率输出级。
3. 线性稳压器中的调整管。
4. 电机驱动电路。
5. 大功率LED驱动器。
6. 各种工业控制设备中的功率开关组件。
7. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率元件。
MJW21194G, MJW21196G
