时间：2025/8/9 9:04:16
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2SK2874-01L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。这款MOSFET设计用于高效能、低导通损耗和快速开关特性，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及各类高频功率电子设备中。2SK2874-01L采用先进的沟槽式工艺制造，具备良好的热稳定性和高可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
脉冲漏极电流（Idm）：480A
导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：SMD（表面贴装）
引脚数：8（适用于高性能散热设计）
2SK2874-01L的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET的导通电阻在Vgs=10V时最大为5.3mΩ，确保在高负载条件下仍能保持良好的性能。
此外，该器件具有高耐压能力，漏极-源极电压额定为30V，适用于各种中等电压的电源转换应用。栅极-源极电压范围为±20V，使其在栅极驱动电路设计中具有更高的灵活性。
器件的连续漏极电流可达120A，支持在高电流需求下的稳定运行。同时，脉冲漏极电流可高达480A，适用于需要瞬时高电流输出的应用场合。
该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，提升了开关速度并降低了开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器等对效率和体积有要求的应用场景。
其封装形式为表面贴装（SMD），具有良好的散热性能和可靠性，适用于自动化生产流程。工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合在极端温度环境下使用。
2SK2874-01L广泛应用于各类功率电子系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及高效率电源模块。此外，该器件也适用于电池管理系统、工业自动化设备、通信电源、不间断电源（UPS）以及各类高频逆变器设备。
2SK3084-01L, 2SK3122-01L, SiR142DP, FDS6680
