时间：2025/7/16 10:11:56
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BUZ80A是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
BUZ80A的封装形式通常为TO-220，这种封装形式具备良好的散热性能，适合高功率应用环境。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4.6A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.7Ω
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
BUZ80A的核心优势在于其高压耐受能力和较低的导通电阻，这使得它在需要高频开关的应用中表现优异。
1. 高击穿电压：高达500V的漏源电压，使其适用于多种高压场景。
2. 快速开关能力：BUZ80A支持高频操作，从而减少磁性元件的体积和重量。
3. 热稳定性：通过TO-220封装提供高效的散热途径，确保长时间稳定运行。
4. 可靠性高：具备较强的抗浪涌能力和过载保护功能，能够在恶劣环境下保持正常工作。
BUZ80A主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 脉宽调制（PWM）控制器
4. 电机驱动电路
5. 各类负载切换装置
6. 电池充电管理系统
由于其出色的电气性能和热管理能力，BUZ80A成为许多工业控制和消费电子产品的理想选择。
IRF540N
STP55NF06
BUZ11
2SD1187
