时间：2025/8/9 13:38:20
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FMP16N50ES是一款由FAIRCHILD（飞兆半导体）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性和可靠性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和马达控制等应用。FMP16N50ES采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够承受较高的工作温度。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：16A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω @ Vgs=10V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Pd）：100W
FMP16N50ES的特性之一是其高耐压能力，漏极-源极间的最大电压可达500V，使其适用于高压应用，例如电源适配器和离线式开关电源。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。在16A的漏极电流下，导通电阻仅为0.27Ω，这对于功率MOSFET来说是一个较为优异的性能指标。
此外，FMP16N50ES具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，这得益于其高效的散热设计和高功率耗散能力（100W）。其TO-220封装形式不仅提供了优良的散热性能，还便于安装和散热片连接，适用于多种电路设计。
另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅极-源极电压（Vgs），这意味着它可以与多种栅极驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。同时，该器件的开关速度较快，适合用于高频开关应用，从而减小电路中磁性元件的体积和重量。
FMP16N50ES还具备较高的可靠性和抗干扰能力，适用于工业级应用环境。它在设计上优化了短路耐受能力和雪崩击穿能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。
FMP16N50ES广泛应用于各种高功率和高电压场景。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以作为主开关器件，负责将输入的高压直流电转换为高频交流电，从而实现高效的能量传输。在DC-DC转换器中，该器件可以用于升压或降压拓扑结构，提供稳定的输出电压。
此外，FMP16N50ES也适用于逆变器电路，尤其是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，用于将直流电转换为交流电以驱动负载。由于其高耐压能力和较低的导通损耗，该器件能够有效提高逆变器的整体效率。
在马达控制领域，FMP16N50ES可用于驱动直流马达或无刷马达，特别是在工业自动化设备中，如伺服驱动器和变频器。由于其具备良好的热管理和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
除了上述应用外，FMP16N50ES还可用于LED照明驱动器、电池充电器以及各种工业电源设备中。由于其封装形式和性能特点，适用于需要高效、高可靠性和高功率密度的设计。
FQP16N50C, IRF840, FDP16N50
