时间：2025/8/14 11:37:18
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PJQ2461_R1_00001是一款由PanJit（强茂）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能、低损耗的功率开关应用设计，适用于多种电力电子系统。其封装形式为常见的表面贴装型（SMD），便于自动化生产与散热管理。该MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大值为2.8mΩ（典型值为2.3mΩ）
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
PJQ2461_R1_00001 MOSFET具备多项关键特性，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻确保了在高电流工作条件下较低的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件的高电流承载能力（可达60A）使其适合用于高功率密度设计，例如同步整流器和DC-DC转换器。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，延长设备寿命。该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，其性能在导通电阻与开关速度之间取得了良好平衡，同时在高频应用中表现优异。TO-252封装不仅提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和机械稳定性。最后，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在突发负载或短路情况下的稳定性与安全性。这些特性共同确保了PJQ2461_R1_00001在各种工业、汽车和消费类电子应用中的可靠性和高性能表现。
该MOSFET适用于多种电力电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力也使其在新能源汽车、太阳能逆变器和储能系统中具有广泛应用。此外，该器件还可用于高性能电源适配器、服务器电源和工业自动化设备中的功率控制部分。
IRF1404, STP60NF06, FDP6030L, SiS434DN
