时间：2025/5/16 12:24:21
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FQU13N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升电路效率并降低功耗。
这款MOSFET的最大漏源电压为100V，适合中低压应用场景。其小型封装设计有助于节省PCB空间，同时具备良好的散热能力以支持高电流操作。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：85mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：46W
结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252(DPAK)
FQU13N10的主要特点包括：
1. 低导通电阻，能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型表面贴装封装，简化了安装过程并节省了板级空间。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 出色的热稳定性和可靠性，适应严苛的工作环境。
该功率MOSFET适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类DC-DC转换器的开关元件。
5. 负载开关和保护电路中的隔离或短路保护功能。
6. 工业自动化设备中的信号调节与功率传输。
IRFZ44N
STP13NF06
FDP13N10
