时间：2025/9/15 0:17:14
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BUK9Y30-75B,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：60A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerSO-10
安装方式：表面贴装（SMD）
BUK9Y30-75B,115 采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。
该器件的最大漏极电流为 60A，能够在高负载条件下稳定运行，适用于高性能功率转换系统。
其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，并具备良好的抗干扰能力。
采用 PowerSO-10 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。
此外，BUK9Y30-75B,115 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。
BUK9Y30-75B,115 广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制设备。
由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件在高功率密度电源设计中表现出色，适合用于高性能电源模块和服务器电源系统。
在汽车电子领域，BUK9Y30-75B,115 也可用于车载充电器、电池管理系统以及电动工具的功率控制电路中。
BUK9Y31-75A,115; BUK9Y30-75E,115; BUK9Y30-40B,115
