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GD25Q40CEIGR 发布时间 时间:2024/4/30 16:00:43 查看 阅读:488

GD25Q40CEIGR(4M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O(WP#)和I/O(HOLD#)。双I/O数据以240Mbit/s的速度传输,四路I/O和四路输出数据以480Mbit/s速度传输。

基础介绍

  厂商型号:GD25Q40CEIGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:NOR FLASH

  封装规格:USON8-EP(2x3)

  型号介绍:120MHz

特点

  ●4M位串行闪存

  ●512K字节

  ●每个可编程页面256字节

  ●标准二重的四路SPI-标准:SCLK,CS#SI,SO.WP#,HOLD#-双路:SCLK、CS#,WP#。HOLD#-Quad:SCLK。CS编号。IO0.101。102

  高速时钟频率120MHz,用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输敢达240Mbit/s-四I/O数据传输高达480Mbit/s

  ●软件/硬件Wrte保护-通过软件保护所有/部分内存-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护

  ●最少100000个编程/擦除周期

  ●快速编程/擦除速度

  ●页面程序时间:0。6ms典型值-扇区擦除时间:45ms典型值

  ●块擦除时间:0。15/ 0. 25秒(典型值)

  ●芯片擦除时间:2。5s典型值

  ●灵活的体系结构-4K字节的统一扇区-32/64K字节的统一块

  ●低功耗1uA典型深度断电电流-1uA典型待机电流

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装USON-8_3x2mm包装圆盘

原理图

GD25Q40CEIGR原理图

GD25Q40CEIGR原理图

引脚

GD25Q40CEIGR原理图

GD25Q40CEIGR引脚图

封装

GD25Q40CEIGR封装图

GD25Q40CEIGR封装

料号解释

GD25Q40CEIGR料号解释图

GD25Q40CEIGR料号解释

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GD25Q40CEIGR图片

GD25Q40CEIGR

GD25Q40CEIGR参数

  • 现有数量25,536现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥2.73705卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,2.4ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-USON(2x3)