类型：DDR3L SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：4 Gigabit x 16 I/O
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　最大频率：800MHz（等效于1600MT/s）
　　数据宽度：16位
　　封装形式：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数量：96-ball FBGA
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：64ms/8192行
　　突发长度：支持BL8和BC4模式
　　内部银行数量：8 Bank
　　访问时间（tRCD/tRP/tRAS）：典型值13.75ns左右
　　CAS延迟（CL）：CL9, CL10, CL11可配置

K4B4G1646Q是一款面向低功耗应用优化的DDR3L SDRAM芯片，具备多项先进特性和设计优势。首先，其核心特性之一是低电压运行能力，工作电压仅为1.35V，相比传统DDR3内存的1.5V显著降低了功耗，这使得它非常适合用于便携式电子产品，例如智能手机和平板电脑，在这些设备中电池续航时间至关重要。通过降低供电电压，不仅减少了静态功耗，还降低了动态功耗，从而整体提升了系统的能效表现。
　　其次，该芯片采用了4Gb密度的存储架构，组织方式为x16，意味着每个芯片提供16位的数据接口宽度，总容量达到512MB。这种配置允许系统设计师在有限的空间内实现较高的内存带宽，特别适用于空间受限但性能要求较高的应用场景。此外，K4B4G1646Q集成了8个内部存储体（Bank），支持交错式访问，可以在不同Bank之间快速切换，提高数据吞吐效率，减少等待时间，从而提升整体系统响应速度。
　　在时序和性能方面，K4B4G1646Q支持最高1600MT/s的数据传输速率（即DDR3-1600），对应的时钟频率为800MHz，并支持可配置的CAS延迟（CL9/CL10/CL11），使系统可以根据实际工作条件进行优化调整。突发长度支持固定BL8（Burst Length 8）和BC4（Burst Chop 4）模式，适应不同的数据访问模式需求。芯片内置自动刷新和自刷新功能，可在不使用时降低功耗，尤其在待机或休眠状态下有效节省能源。
　　封装方面，采用96球FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的电气性能和散热能力，同时占用PCB面积小，适合高密度布局。其工作温度范围为0°C至+85°C，符合工业级应用标准，能够在大多数常规环境下稳定运行。此外，该器件兼容JEDEC标准规范，确保与其他符合标准的控制器和系统组件之间的互操作性。综合来看，K4B4G1646Q以其高集成度、低功耗、高性能和高可靠性，成为许多移动和嵌入式平台的理想选择。

K4B4G1646Q因其高密度、低功耗和高性能的特点，被广泛应用于多种需要高效内存管理的电子设备中。最常见的应用领域包括智能手机和平板电脑，这些设备对功耗极为敏感，同时要求足够的内存带宽来支持多任务处理、高清视频播放和复杂应用程序的流畅运行。由于其1.35V的低工作电压特性，K4B4G1646Q有助于延长移动设备的电池续航时间，同时满足操作系统和应用软件日益增长的内存需求。
　　此外，该芯片也常用于嵌入式系统和工业控制设备中，例如智能终端、POS机、车载信息娱乐系统和物联网网关等。在这些场景中，系统通常需要长时间稳定运行，而K4B4G1646Q提供的良好热稳定性和JEDEC标准兼容性确保了其在各种环境下的可靠工作能力。其800MHz的时钟频率和1600MT/s的数据传输速率足以应对大多数中高端嵌入式处理器的需求，支持ARM架构或其他低功耗处理器平台的内存扩展。
　　在消费类电子产品方面，K4B4G1646Q可用于数字电视、机顶盒、网络摄像头和智能家居控制器等设备。这些产品往往需要在紧凑的空间内集成较多功能，因此高密度、小型化的内存解决方案尤为重要。K4B4G1646Q的96-ball FBGA封装便于高密度PCB布局，有助于缩小整机体积。
　　另外，一些基于System-on-Module（SoM）或Computer-on-Module（CoM）设计的模块化计算平台也会采用此类DDR3L颗粒作为主内存，配合应用处理器如Exynos、i.MX系列等共同构成完整的计算单元。综上所述，K4B4G1646Q适用于所有追求性能与能效平衡的中高端移动和嵌入式系统，是现代电子设备中关键的内存组件之一。

K4B4G1646F
　　K4B4G1646E
　　MT41K512M16TW-107:A
　　EM68A160TS-10H