时间：2025/7/12 4:02:16
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HH18N101G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），能够满足紧凑型设计的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：10mΩ
功耗：2.88W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N101G101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 具备强大的浪涌电流能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，简化散热管理。
5. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
HH18N101G101CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电池保护及充放电管理。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 汽车电子设备中的负载切换。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
7. 消费类电子产品中的电源管理和保护功能模块。
IRLZ44N, AO3400, FDMQ8207
