时间：2025/6/25 23:27:55
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CL31B475KBHNFNE 是一款由知名半导体制造商生产的陶瓷电容器，采用多层陶瓷工艺（MLCC），具有高可靠性和稳定的电气性能。该电容器适用于高频滤波、电源去耦和信号耦合等场景，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
其封装形式为标准的0805尺寸，适合表面贴装技术（SMT）生产，能够满足自动化生产线的需求。
容量：475pF
额定电压：50V
公差：±5%
温度特性：C0G（NP0）
封装：0805
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
CL31B475KBHNFNE 使用C0G（也称为NP0）介质材料，具备极佳的温度稳定性，在-55℃至+125℃范围内，其容量变化小于±30ppm/℃。此外，该型号的损耗因数非常低，非常适合用于射频和高精度电路。
由于采用了多层陶瓷结构设计，CL31B475KBHNFNE 具有良好的机械强度和抗振动能力，能够在严苛环境下保持稳定运行。同时，它还符合RoHS环保标准，确保对环境无害。
在实际应用中，该电容器表现出优异的高频特性和快速响应速度，可有效抑制噪声并提高电路性能。
CL31B475KBHNFNE 主要用于需要高稳定性和低损耗的场合，例如：
- 射频模块中的滤波和匹配网络
- 高速数字电路中的电源去耦
- 振荡器和定时电路中的谐振元件
- 工业设备中的信号调理电路
- 消费类电子产品中的音频处理电路
凭借其紧凑的尺寸和高性能表现，这款电容器成为现代电子设计中的理想选择。
CL05A475KBHNNP
GRM155R60J475J01D
CC0805KRX7U4BB475
