类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A（在 Tc=100℃）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.018Ω（在 VGS=10V，ID=25A）
　　栅极电荷（Qg）：约 55nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体型号后缀）

UF1050BICE 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了 ST 的先进沟槽栅技术，优化了导通性能和开关性能之间的平衡。
　　其次，UF1050BICE 具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其封装设计（如 TO-220 或 D2PAK）提供了良好的散热性能，适用于需要持续高电流工作的应用场景。
　　此外，该 MOSFET 具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持可靠运行，从而提高了系统的稳定性和寿命。其栅极驱动要求适中，兼容标准的 10V 驱动电路，便于集成到各种功率电路中。
　　最后，UF1050BICE 的高可靠性使其在工业控制、汽车电子和消费类电源系统中广泛使用，尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。

UF1050BICE 被广泛应用于多种功率电子系统中，例如：
　　1. DC-DC 转换器：用于笔记本电脑电源、服务器电源模块和工业电源系统，作为高边或低边开关使用，实现高效率的电压转换。
　　2. 电机控制电路：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具和机器人系统，提供快速响应和高效能的功率开关功能。
　　3. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统和便携式设备中用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　4. 负载开关：用于智能电源管理电路，实现对不同负载的独立控制，提高系统的能效和可靠性。
　　5. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，用于功率级的开关控制，提升转换效率并减少发热。

STP55NF06, IRF1405, FDP55N06, IRLB8721