时间：2025/9/1 13:47:22
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能异步SRAM（静态随机存取存储器）。该SRAM采用先进的CMOS工艺制造，提供高速数据访问和低功耗的特性，适用于需要快速数据处理和稳定存储的工业、通信和消费类电子设备。
容量：4Mbit
组织形式：16位x262144字
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：70ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR具有出色的性能和可靠性。其高速访问时间为70ns，使该SRAM适用于需要快速数据处理的应用。该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，使其在多种电源条件下都能稳定运行，同时降低了对外部电源管理电路的依赖。
这款SRAM采用CMOS技术，具有低功耗的特点，尤其在待机模式下功耗极低，适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并提高设备的集成度。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在恶劣环境条件下也能稳定运行，适用于工业级应用。
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR还具备宽数据总线接口（16位），可提高数据传输效率，满足需要高带宽的应用需求。其异步接口设计简化了与微处理器、控制器和外围设备的连接，降低了系统设计的复杂性。
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR广泛应用于需要高性能存储的系统中，如网络设备、通信模块、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统等。该芯片的高速访问和低功耗特性也使其成为图像处理、数据缓冲和实时控制等应用的理想选择。
IS66WVE4M16EBLL-65BLI-TR, IS66WVE4M16EBLL-85BLI-TR
