IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)。该SRAM采用先进的CMOS工艺制造,提供高速数据访问和低功耗的特性,适用于需要快速数据处理和稳定存储的工业、通信和消费类电子设备。
容量:4Mbit
组织形式:16位x262144字
电源电压:2.3V - 3.6V
最大访问时间:70ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR具有出色的性能和可靠性。其高速访问时间为70ns,使该SRAM适用于需要快速数据处理的应用。该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,使其在多种电源条件下都能稳定运行,同时降低了对外部电源管理电路的依赖。
这款SRAM采用CMOS技术,具有低功耗的特点,尤其在待机模式下功耗极低,适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提高设备的集成度。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保其在恶劣环境条件下也能稳定运行,适用于工业级应用。
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR还具备宽数据总线接口(16位),可提高数据传输效率,满足需要高带宽的应用需求。其异步接口设计简化了与微处理器、控制器和外围设备的连接,降低了系统设计的复杂性。
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR广泛应用于需要高性能存储的系统中,如网络设备、通信模块、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统等。该芯片的高速访问和低功耗特性也使其成为图像处理、数据缓冲和实时控制等应用的理想选择。
IS66WVE4M16EBLL-65BLI-TR, IS66WVE4M16EBLL-85BLI-TR