您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SKR2M130/14

SKR2M130/14 发布时间 时间:2025/8/23 1:44:56 查看 阅读:6

SKR2M130/14 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款MOSFET功率晶体管,采用高性能的MDmesh MDMOS技术,专为高效开关应用设计。该器件具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等高功率密度场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):130V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(@25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω @ Vgs = 10V
  功率耗散(Ptot):80W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220
  工艺技术:MDmesh MDMOS
  晶体管配置:单管

特性

SKR2M130/14采用意法半导体的MDmesh MDMOS技术,具有优异的导通和开关性能。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备高耐压能力和强大的雪崩能量承受能力,能够在严苛的电气环境下稳定工作。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
  该MOSFET还具有快速开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动损耗。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。
  在安全性方面,SKR2M130/14具备较高的短路耐受能力,能够防止因短路引起的器件损坏。同时,其封装设计符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的应用。

应用

SKR2M130/14广泛应用于各类高功率电子设备中,包括电源供应器、电机控制器、LED驱动器、DC-DC转换器、工业自动化设备、电动工具、电动车充电系统等。由于其高效率和高可靠性,特别适合需要长时间稳定运行的工业和汽车电子系统。

替代型号

STP10NK130Z, FDPF10N130, IRFPG50

SKR2M130/14推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价