SKR2M130/14 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款MOSFET功率晶体管,采用高性能的MDmesh MDMOS技术,专为高效开关应用设计。该器件具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等高功率密度场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):130V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A(@25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.12Ω @ Vgs = 10V
功率耗散(Ptot):80W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220
工艺技术:MDmesh MDMOS
晶体管配置:单管
SKR2M130/14采用意法半导体的MDmesh MDMOS技术,具有优异的导通和开关性能。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具备高耐压能力和强大的雪崩能量承受能力,能够在严苛的电气环境下稳定工作。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
该MOSFET还具有快速开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动损耗。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。
在安全性方面,SKR2M130/14具备较高的短路耐受能力,能够防止因短路引起的器件损坏。同时,其封装设计符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的应用。
SKR2M130/14广泛应用于各类高功率电子设备中,包括电源供应器、电机控制器、LED驱动器、DC-DC转换器、工业自动化设备、电动工具、电动车充电系统等。由于其高效率和高可靠性,特别适合需要长时间稳定运行的工业和汽车电子系统。
STP10NK130Z, FDPF10N130, IRFPG50