时间：2025/7/23 17:19:24
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IRF9Z24N是一款由Infineon Technologies制造的P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能功率转换的各种应用场景。
类型：P沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：-200V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-9.3A（在TC=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
IRF9Z24N具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，能够有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高耐压能力（-200V）使其在高压应用中表现稳定可靠，适用于如电源供应器、DC-DC转换器和电机控制等场景。此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够实现较高的开关频率，从而减小外围电路的尺寸并提升系统响应速度。IRF9Z24N还内置了热保护功能，能够在高温环境下自动降低电流以防止器件损坏，提高整体系统的稳定性与安全性。其封装形式为TO-220AB，便于散热和安装，适用于各种工业级和消费类电子设备。
IRF9Z24N常用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、逆变器以及各种需要高可靠性和高效率功率转换的电子设备中。
IRF9Z24NSPBF
